日韩欧美亚洲91_鲁大师影院在线观看_欧美变态口味重另类在线视频_精精国产xxxx视频在线动漫_中国大陆高清aⅴ毛片_欧美国产激情视频

山東大學(xué)和華為技術(shù)有限公司在中國使用氟（F）離子注入端接（FIT）在全垂直氮化鎵（GaN）硅基硅（Si）溝槽金屬氧化物半導(dǎo)體場效

隨著無線通信技術(shù)的發(fā)展，太赫茲波因超寬帶、高定向性和高分辨率等優(yōu)勢，成為6G通信的重要頻譜資源。然而，頻率升高帶來的路徑損

8月1日，英偉達(dá)官網(wǎng)更新800V直流電源架構(gòu)合作商名錄，中國氮化鎵龍頭企業(yè)英諾賽科上榜，將為英偉達(dá)Kyber機架系統(tǒng)提供全鏈路氮化

球領(lǐng)先的8英寸GaN-on-Si（硅基氮化鎵）制造供應(yīng)商英諾賽科與聯(lián)合汽車電子宣布成立聯(lián)合實驗室

汶上縣舉行氮化鎵半導(dǎo)體智能制造項目暨芯片綜合配套項目簽約儀式。

蘇州納米所秦華團隊提出并研制了一種基于氮化鎵肖特基二極管(GaN SBD)的無源太赫茲相控陣芯片原型，工作頻率為0.32 THz，陣列規(guī)模為32 × 25。本項研究工作為6G“通感一體化”的氮化鎵基太赫茲器件解決方案提供了新思路。

中科無線半導(dǎo)體發(fā)布氮化鎵（GaN）新一代ASIC智能快充芯片（包括：CT-3602、CT1020、CT1007與CT-1901）四個型號，通過ASIC芯片+Ga

氮化鎵（GaN）基電子器件具有高頻、高效、耐高溫及抗輻射等特性，是下一代高效電力電子與射頻電子系統(tǒng)的核心支撐器件，已在5G/6G

依托中國科學(xué)院蘇州納米所建設(shè)的半導(dǎo)體顯示材料與芯片重點實驗室與蘇州實驗室合作，近日研制出GaN基光子晶體面發(fā)射激光器，并實現(xiàn)了室溫電注入激射。

近日，一項關(guān)于范德華外延高質(zhì)量超薄氮化物半導(dǎo)體材料的研究成果發(fā)表于《Advanced Materials》，該研究由武漢大學(xué)何軍教授團隊與西安電子科技大學(xué)郝躍院士團隊張進成教授、寧靜教授合作完成，武漢大學(xué)文耀副研究員與西安電子科技大學(xué)寧靜教授與為論文共同第一作者，何軍教授、張進成教授為論文共同通訊作者。

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，安徽格恩半導(dǎo)體有限公司申請一項名為一種氮化鎵基半導(dǎo)體激光器元件的專利，公開號CN120262170A，申請日

根據(jù)納微半導(dǎo)體 Navitas 提供的文件，臺積電計劃于 2027 年 7 月終止氮化鎵 (GaN) 晶圓的生產(chǎn)。而日本半導(dǎo)體制造商 ROHM 羅姆也

近日，由華東理工大學(xué)牽頭的國家重點研發(fā)計劃 大尺寸氮化鎵單晶制備用高溫超高壓反應(yīng)釜設(shè)計制造技術(shù)項目啟動暨實施方案論證會在

隨著GaN半導(dǎo)體需求的持續(xù)增長，英飛凌正抓住這一趨勢，鞏固其作為GaN市場領(lǐng)先垂直整合制造商（IDM，以下同）的地位

近日，有消息稱臺積電計劃淡出氮化鎵市場，晶圓五廠將于2027年7月1日后轉(zhuǎn)型為先進封裝使用。氮化鎵廠納微半導(dǎo)體也宣布旗下650V元

6月25日，雷電微力在深交所互動易平臺回復(fù)投資者提問時表示，公司研制低成本低剖面氮化鎵組件，部分產(chǎn)品已量產(chǎn)。第三代半導(dǎo)體氮

DX65TA030是一款650V,30mΩ增強型硅基氮化鎵（GaN）晶體管，采用TOLL封裝與寬禁帶技術(shù)，實現(xiàn)高功率密度。具備開爾文連接，

6月23日，英諾賽科(02577.HK)公告，公司已于近日與廣東威靈電機制造有限公司達(dá)成戰(zhàn)略合作，成功在家電電機驅(qū)動領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破。雙

在近期日本熊本市舉辦的第37屆國際功率半導(dǎo)體器件和集成電路會議（International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD）上，南京大學(xué)江蘇省第三代半導(dǎo)體與高能效器件重點實驗室張榮和陸海教授研究團隊入選了兩篇氮化鎵（GaN）功率器件輻照效應(yīng)研究論文，向國際同行展示了宇航級GaN功率器件研究最新成果。

近日，中科無線半導(dǎo)體有限公司宣布，其基于氮化鎵（GaN）HEMT工藝的機器人關(guān)節(jié)ASIC驅(qū)動器芯片已正式推出并商用，是專業(yè)為具身機