國家知識產權局信息顯示，安徽格恩半導體有限公司申請一項名為“一種氮化鎵基半導體激光器元件”的專利，公開號CN120262170A，申請日期為2025年04月。

專利摘要顯示，本發明公開了一種氮化鎵基半導體激光器元件，從下至上依次包括襯底、下限制層、下波導層、有源層、上波導層、上限制層，所述上限制層上方具有光場局域化層，所述光場局域化層包括第一光場局域化層、第二光場局域化層和第三光場局域化層。本發明通過特定設計的極性光學聲子能量分布、特定設計的輻射復合系數分布、特定設計的折射率系數分布形成任意對稱性和扭曲角的光子莫爾超晶格，構建光子晶格間的長距離耦合，形成寬帶光捕獲的二維等離激元，誘導激光光場局域化，增強光學手性和光子水平定向能帶激射，降低激光元件的光吸收內損耗，提升限制因子。

天眼查資料顯示，安徽格恩半導體有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備制造業為主的企業。企業注冊資本8505.7882萬人民幣。通過天眼查大數據分析，安徽格恩半導體有限公司共對外投資了1家企業，參與招投標項目4次，財產線索方面有商標信息2條，專利信息482條，此外企業還擁有行政許可12個。