6月25日，雷電微力在深交所互動易平臺回復投資者提問時表示，公司研制低成本低剖面氮化鎵組件，部分產品已量產。第三代半導體氮化鎵作為寬禁帶半導體材料，具有更高的電子遷移率和更寬的能帶間隙，在功率、速度和效率方面具有明顯優勢。氮化鎵組件的研發及應用，為公司產品的小型化、低成本、高效率發展奠定了重要支撐。

 此外，針對公司產品在特種領域外是否能應用于低空經濟等領域問題，雷電微力答復表示，公司招股說明書中所列產品中有兩個研制項目已完成定型批產，其余項目尚處于不同的研制階段。公司在毫米微波系統細分領域持續保持領先優勢，隨著天基互聯網、低空經濟、衛星通信等相關領域的發展，毫米波微系統行業發展方興未艾。

 目前，公司在保持細分領域優勢的同時，已具備多元化發展的技術儲備和體系基礎，在芯片設計、組件模塊制造、封裝工藝、測試等方面積累了關鍵核心技術及能力。得益于相關技術的大帶寬、高功率、高可靠等特點，公司產品可以應用于低空經濟等相關領域。

公司將保持持續的研發創新，做好技術與產品儲備，強化與客戶的深度合作，以產業鏈延伸、拓展新興應用場景等方式為抓手，推動市場的多元布局，為公司長遠發展打開新空間。

（來源：上海證券報·中國證券網）