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在國(guó)務(wù)院新聞辦公室今日舉行的發(fā)布會(huì)上，國(guó)家發(fā)展改革委政策研究室主任金賢東介紹，我國(guó)新能源汽車產(chǎn)銷量占全球比重超過(guò)60%、連

位于科技大廈西展廳，700多平方米的河北科技創(chuàng)新展示服務(wù)大廳中，展示著我省百余件最新科技成果，這些展品創(chuàng)新點(diǎn)在哪兒、應(yīng)用場(chǎng)

據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告，北京大學(xué)申請(qǐng)一項(xiàng)名為一種高動(dòng)態(tài)穩(wěn)定性的GaN器件，公開(kāi)號(hào)CN117410327A，申請(qǐng)日期為2023年1月。專利摘要顯

人工視覺(jué)芯片是一種感算一體化的圖像傳感器，能夠單芯片完成圖像獲取和原位實(shí)時(shí)智能圖像處理等任務(wù)，是一種典型的邊端型智能感知

對(duì)于半導(dǎo)體行業(yè)而言，最壞的時(shí)刻似乎已經(jīng)過(guò)去。

國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）牽頭7家高等院校、科研院所和龍頭企業(yè)共同組建的江蘇省碳化硅電力電子技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)合體成功入選

親愛(ài)的汽車人，感謝您關(guān)注EAC2024易貿(mào)汽車產(chǎn)業(yè)大會(huì)暨易貿(mào)汽車產(chǎn)業(yè)鏈展!

GaN微納米器件涉及納米線陣列LED、納米線柔性LED、納米線激光器、納米線集成光波導(dǎo)等，由于難以實(shí)現(xiàn)納米尺寸、空間密度、形貌、結(jié)構(gòu)等的有效控制，限制了納米材料和器件的發(fā)展和應(yīng)用。報(bào)告介紹一種新型GaN微納結(jié)構(gòu)的制備方法、光電特性及其紫外探測(cè)器件。

SEMI（國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)）在其最新的《世界晶圓廠預(yù)測(cè)》報(bào)告中表示，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)月產(chǎn)能將在2023年增長(zhǎng)5.5％，達(dá)到2960萬(wàn)片

江西南昌大力推動(dòng)硅襯底發(fā)光二極管藍(lán)光技術(shù)開(kāi)發(fā)應(yīng)用。

中科潞安作為深紫外一體化消毒殺菌解決方案供應(yīng)商，一直致力于研發(fā)深紫外核心技術(shù)并開(kāi)發(fā)深紫外中高端產(chǎn)品。

理想晶延業(yè)界首創(chuàng)的光伏切片電池側(cè)壁鈍化 (Edge Passivation Deposition EPD）設(shè)備正式整裝出貨！

Luminus Devices宣布，湖南三安半導(dǎo)體與其簽署了一項(xiàng)合作協(xié)議，Luminus將成為湖南三安SiC和GaN產(chǎn)品在美洲的獨(dú)家銷售渠道，面向功率半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)。

2011年，國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)的幼苗經(jīng)歷十余年發(fā)展完成了晶圓尺寸從2英寸往4英寸迭代，國(guó)內(nèi)導(dǎo)電型碳化硅產(chǎn)品和技術(shù)布局剛開(kāi)始，產(chǎn)業(yè)基

中國(guó)電科第四十八研究所自主研發(fā)的40臺(tái)SiC外延爐成功Move in。

目前，江寧開(kāi)發(fā)區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“第一梯隊(duì)”，由國(guó)博電子、國(guó)盛電子等“中電科系”龍頭企業(yè)“領(lǐng)銜”，去年這些龍頭企業(yè)相繼迎來(lái)重大發(fā)展節(jié)點(diǎn)。

1月3日，證監(jiān)會(huì)官網(wǎng)披露了深圳市龍圖光罩股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱龍圖光罩或公司)首次公開(kāi)發(fā)行股票注冊(cè)的批復(fù)，公司IPO注冊(cè)獲同意

中國(guó)電科第四十八研究所自主研發(fā)的40臺(tái)SiC外延爐成功Move in。

據(jù)財(cái)聯(lián)社消息，工信部部長(zhǎng)金壯龍1月9日表示，將積極培育新興產(chǎn)業(yè)和未來(lái)產(chǎn)業(yè)，包括人工智能、人形機(jī)器人、元宇宙、6G、量子信息、

香港中文大學(xué)（深圳）冀東介紹了GaN同質(zhì)外延中的雪崩特性的最新研究進(jìn)展，涉及GaN同質(zhì)外延中雪崩擊穿的表征、GaN同質(zhì)外延中碰撞電離系數(shù)測(cè)量，以及功率器件和雪崩光電二極管的應(yīng)用等。