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。北方華創(chuàng)表示，公司目前生產(chǎn)經(jīng)營正常，本次被列入“實體清單”不會對公司業(yè)務(wù)產(chǎn)生實質(zhì)性影響。

功率半導(dǎo)體測試系統(tǒng)解決方案創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者「忱芯科技（UniSiC）」近日宣布完成2億元戰(zhàn)略融資

12月3日，中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、中國汽車工業(yè)協(xié)會、中國通信企業(yè)協(xié)會、，中國互聯(lián)網(wǎng)協(xié)會等多個行業(yè)協(xié)會發(fā)布聲明：美國芯片產(chǎn)品不再安全、不再可靠，中國相關(guān)行業(yè)將不得不謹(jǐn)慎采購美國芯片。

11月29日，賽微電子發(fā)布公告稱，近日，公司與深圳市引導(dǎo)基金、光明區(qū)引導(dǎo)基金、匯通金控、龍華區(qū)引導(dǎo)基金、金石投資、中信并購、

商務(wù)部新聞發(fā)言人2日表示，中方注意到，美方發(fā)布了對華半導(dǎo)體出口管制措施。該措施進一步加嚴(yán)對半導(dǎo)體制造設(shè)備、存儲芯片等物項

中國光谷國際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會（CSE2025）將于2025年4月在武漢再次啟幕

智慧照明設(shè)計及應(yīng)用在提升能源利用效率、改善用戶體驗、優(yōu)化照明效果和增強建筑智能化等方面發(fā)揮著重要作用。近日，第十屆國際第

加入頂流，成為頂流——化合物半導(dǎo)體產(chǎn)/學(xué)/研/用各大領(lǐng)域邀請報告征集和邀約正式啟動！

11月28日，中國證監(jiān)會國際合作司發(fā)布關(guān)于英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司境外發(fā)行上市備案通知書

在第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十一屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇重要產(chǎn)業(yè)峰會上，眾多專家學(xué)者齊聚探討Mini/Micro-LED技術(shù)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用最新趨勢。

“Mini/Micro-LED技術(shù)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會”上，廣州市鴻利顯示電子有限公司（鴻利智匯全資子公司）總經(jīng)理劉傳標(biāo)做了“創(chuàng)新MLED技術(shù)，賦能直顯和背光車載市場 ”的主題報告，分享了顯示領(lǐng)域的發(fā)展現(xiàn)狀，以及鴻利顯示Mini LED特點及優(yōu)勢等內(nèi)容。

“氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用分會”上，深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司、國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心副總經(jīng)理、CTO 許明偉做了“FLAB：特色射頻半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新模式探索”的主題報告，分享了國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心FLAB三代特色半導(dǎo)體工藝技術(shù)創(chuàng)新的新模式，包括硬件建設(shè)、軟件建設(shè)、開發(fā)體系、技術(shù)路線等。

芯航同方科技（江蘇）有限公司正式開業(yè)，標(biāo)志著芯航在半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)向高端化、國產(chǎn)化方向邁出重要一步，為京口區(qū)新材料產(chǎn)業(yè)注入更多發(fā)展動能。

位于江蘇鹽城綜合保稅區(qū)二期七號廠房的羅化芯顯示項目，其3條Mini/Micro LED模組線已正式運營，預(yù)計達(dá)產(chǎn)后可實現(xiàn)年銷售2億元。

“LED健康照明與光品質(zhì)技術(shù)論壇”上，嘉賓們齊聚，共同探討LED健康照明與光品質(zhì)技術(shù)及應(yīng)用的探索與創(chuàng)新。

盛合晶微半導(dǎo)體有限公司三維多芯片集成封裝項目J2C廠房順利封頂，工程建設(shè)邁入新階段。

長電科技發(fā)布公告稱，公司召開2024年第三次臨時股東大會完成公司董事會改組。

半導(dǎo)體行業(yè)作為高新技術(shù)的代表，得到了國家政策的大力支持和各地政府的積極投資。

元頡新材料科技（浙江）有限公司年產(chǎn)5500噸半導(dǎo)體關(guān)鍵支撐材料項目投產(chǎn)儀式在海寧市黃灣鎮(zhèn)舉行。

期間“第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測研討會”上，深圳平湖實驗室失效分析首席專家何光澤做了“面向SiC/GaN功率器件失效分析的測試技術(shù)與典型應(yīng)用”的主題報告，結(jié)合第三代半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)鏈與分析檢測應(yīng)用之關(guān)聯(lián)，第三代半導(dǎo)體功率器件分析流程，具體介紹了無損分析，電性失效分析 – 缺陷定位，物性失效分析–結(jié)構(gòu)與缺陷觀察等內(nèi)容。