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英諾賽科宣布第三代700V GaN增強(qiáng)型氮化鎵功率器件系列全面上市。該系列憑借更小尺寸、更快開關(guān)速度、更高效率的顯著優(yōu)勢(shì)，在關(guān)鍵性能指標(biāo)上實(shí)現(xiàn)突破性進(jìn)展，為電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)樹立新標(biāo)桿。

8月19日，新潔能發(fā)布公告稱，公司在募投項(xiàng)目實(shí)施主體、實(shí)施方式、募集資金投資用途及投資規(guī)模不發(fā)生變更的情況下，公司根據(jù)目前

2025年8月14日，IEEE國(guó)際寬禁帶功率半導(dǎo)體技術(shù)路線圖委員會(huì)（ITRW）在北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）召開專題會(huì)

由順義科創(chuàng)集團(tuán)投資建設(shè)的市、區(qū)兩級(jí)重點(diǎn)項(xiàng)目第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房項(xiàng)目（二期）順利通過(guò)竣工驗(yàn)收。該項(xiàng)目位于中關(guān)村

第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房項(xiàng)目（二期）成功通過(guò)竣工驗(yàn)收

推動(dòng)國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(蘇州)(以下簡(jiǎn)稱“國(guó)創(chuàng)中心(蘇州)”)創(chuàng)新平臺(tái)高質(zhì)量發(fā)展，現(xiàn)面向全國(guó)發(fā)布 2025 年度國(guó)創(chuàng)中心(蘇州)“揭榜掛帥”項(xiàng)目指南并組織申報(bào)

近年來(lái)，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)，中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)更是呈現(xiàn)資金加速涌入、產(chǎn)能快速擴(kuò)張、企業(yè)積極出海的發(fā)展態(tài)勢(shì)，半導(dǎo)體設(shè)

第十一屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十二屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）將于2025年11月11-14日在廈門召開。論壇與IEEE長(zhǎng)期合作，投稿的錄取論文會(huì)被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發(fā)表。

7月11日，以賦能新應(yīng)用、共建生態(tài)鏈為主題的2025白石山第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會(huì)在保定淶源華中假日酒店舉行。本屆大會(huì)由第三代

6月25日，雷電微力在深交所互動(dòng)易平臺(tái)回復(fù)投資者提問(wèn)時(shí)表示，公司研制低成本低剖面氮化鎵組件，部分產(chǎn)品已量產(chǎn)。第三代半導(dǎo)體氮

2025白石山第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會(huì)將于7月10日-11日在河北保定召開。

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)（CASAS）發(fā)布《三電平SiC MOSFET功率模塊開關(guān)動(dòng)態(tài)特性測(cè)試方法》和《半橋拓?fù)渲蠸iC MOSFET開關(guān)損耗準(zhǔn)確評(píng)估測(cè)試方法》兩項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)立項(xiàng)通知。詳情如下：

6月18日，按照第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)（CASAS）相關(guān)管理辦法，經(jīng)CASAS管理委員會(huì)投票通過(guò)由浙江大學(xué)牽頭

6月18日，按照第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)（CASAS）相關(guān)管理辦法，經(jīng)CASAS管理委員會(huì)投票通過(guò)由合肥工業(yè)大學(xué)

在近期日本熊本市舉辦的第37屆國(guó)際功率半導(dǎo)體器件和集成電路會(huì)議（International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD）上，南京大學(xué)江蘇省第三代半導(dǎo)體與高能效器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室張榮和陸海教授研究團(tuán)隊(duì)入選了兩篇氮化鎵（GaN）功率器件輻照效應(yīng)研究論文，向國(guó)際同行展示了宇航級(jí)GaN功率器件研究最新成果。

第37屆功率半導(dǎo)體器件和集成電路國(guó)際會(huì)議(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD)在日本熊本市（Kumamoto）舉辦。本網(wǎng)特派記者參加ISPSD2025，并在現(xiàn)場(chǎng)也遇見了聯(lián)盟和IFWS&SSLCHINA諸多老朋友，同時(shí)也了解了當(dāng)前最新技術(shù)&新方向，以下簡(jiǎn)單回顧一下熱點(diǎn)走向！

第十一屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十二屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）將于2025年11月12-14日在廈門召開。

近日，遼寧國(guó)瑞新材料有限公司（簡(jiǎn)稱國(guó)瑞新材）完成數(shù)億元B輪融資，此次融資由深創(chuàng)投、華映資本、國(guó)泰君安創(chuàng)新投、眾行資本、中

第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房項(xiàng)目（二期）目前正全力推進(jìn)中，預(yù)計(jì)今年7月底完工。

為推進(jìn)第三代半導(dǎo)體在新能源汽車領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用，加快新能源汽車產(chǎn)業(yè)升級(jí)轉(zhuǎn)型，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟聯(lián)合廣東芯聚能