?近日，英諾賽科宣布第三代700V GaN增強型氮化鎵功率器件系列全面上市。該系列憑借更小尺寸、更快開關(guān)速度、更高效率的顯著優(yōu)勢，在關(guān)鍵性能指標(biāo)上實現(xiàn)突破性進展，為電源系統(tǒng)設(shè)計樹立新標(biāo)桿。

第三代700V GaN相較于Gen2.5來說，核心性能得到大幅躍升，通過先進的工藝優(yōu)化與結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，顯著提升硅片利用率，芯片面積縮減30%，助力實現(xiàn)更高功率密度；設(shè)計開關(guān)性能提升20-30%，電容降低20-30%，有效降低開關(guān)損耗與驅(qū)動損耗，顯著提升系統(tǒng)整體效率；熱性能優(yōu)化，在同等應(yīng)用條件下，芯片殼溫可降低3-6°C，大幅增強系統(tǒng)長期運行可靠性。

其中，采用TO252封裝的旗艦型號INN700TK100E，突破了傳統(tǒng)TO252封裝器件的性能極限，可高效支持高達500W的應(yīng)用功率等級。得益于更低的導(dǎo)通電阻(Ron)和開關(guān)損耗，第三代700V GaN系列為PD快充/適配器 (尤其高功率)、LED照明驅(qū)動電源、智能家電電源、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源、工業(yè)開關(guān)電源(SMPS)等應(yīng)用領(lǐng)域帶來更高效率、更小尺寸的解決方案。

“第三代700V GaN通過實質(zhì)性的核心參數(shù)優(yōu)化，整體提升系統(tǒng)能效，并提供與現(xiàn)有方案兼容的標(biāo)準(zhǔn)封裝和平滑升級路徑，為電源設(shè)計工程師提供了創(chuàng)新的高性能解決方案，是實現(xiàn)更高功率密度、更高系統(tǒng)效率設(shè)計目標(biāo)的理想選擇。”英諾賽科相關(guān)負(fù)責(zé)人介紹。

英諾賽科是全球領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體高新技術(shù)企業(yè)，致力于硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 的研發(fā)與制造，公司擁有全球最大規(guī)模的8英寸硅基氮化鎵晶圓生產(chǎn)基地，產(chǎn)品設(shè)計及性能處于國際先進水平。公司氮化鎵產(chǎn)品用于各種低中高壓應(yīng)用場景，產(chǎn)品研發(fā)范圍覆蓋15V至1200V，涵蓋晶圓、分立器件、IC、模組，并為客戶提供全氮化鎵解決方案。成立至今，英諾賽科擁有近700項專利及專利申請，產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于消費電子、可再生能源及工業(yè)應(yīng)用、汽車電子及數(shù)據(jù)中心等前沿領(lǐng)域。