近期，中國領先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應商瞻芯電子開發的首批第3代1200VSiC35mΩMOSFET產品，憑借優秀的性能
中宜創芯宣布成功將碳化硅粉體純度突破8N，粉體純度提升至8N8（99.9999998%），刷新全球行業紀錄。
7月7日，國家發展改革委辦公廳等四部門發布《關于促進大功率充電設施科學規劃建設的通知》。進一步優化完善我國充電設施網絡布局
濟南市生態環境局發布了山東天岳先進科技股份有限公司碳化硅材料產業項目（一期）的獲批公示。
中建三局一公司承建的廈門士蘭微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產線項目（一期）首臺設備提前搬入。
據香港特別行政區政府新聞公報網站，香港創新科技署（創科署）6 月 25 日宣布，創新及科技基金下設的新型工業評審委員會支持杰立
浙江晶瑞電子材料有限公司年產60萬片8英寸碳化硅襯底片切磨拋產線項目
據株洲新區發布消息，6月22日上午，諾天碳化硅半導體設備與基材生產基地項目投產儀式在株洲高新區舉行。該項目總投資約1.5億元，
深圳基本半導體股份有限公司在粵港澳大灣區的產能布局再獲突破。6月4日，廣東省投資項目在線審批監管平臺公示顯示，其全資子公司
諾天碳化硅半導體設備與基材生產基地項目投產儀式舉行。
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟標準化委員會（CASAS）發布《三電平SiC MOSFET功率模塊開關動態特性測試方法》和《半橋拓撲中SiC MOSFET開關損耗準確評估測試方法》兩項標準立項通知。詳情如下：
在近期落幕的第 37 屆功率半導體器件與集成電路國際會議（IEEE ISPSD 2025）上，浙江大學電氣工程學院電力電子器件實驗室（PEDL）取得了令人矚目的成績。團隊共有四篇論文被選為大會全體報告（Oral Session）。該核心報告數量在全球所有高校、研究機構和企業中位居第一，充分彰顯了浙大 PEDL 團隊在寬禁帶功率半導體領域的卓越科研實力。
基本半導體（中山）有限公司（以下簡稱“中山基本”）成功競得火炬高新區民眾街道深中合作區22畝地塊，這標志著中山首個碳化硅模塊封裝產線建設項目正式落戶火炬高新區。
來自濟南的半導體企業——山東天岳先進科技股份有限公司，憑借其在碳化硅襯底材料技術上取得的革命性突破，榮獲由日本權威半導體媒體《電子器件產業新聞》頒發的“半導體電子材料”類金獎。這是中國企業在該獎項設立31年以來的首次問鼎
市場對高效、清潔和可持續能源解決方案的需求日益增長，這推動了功率半導體行業的發展，也要求人們更加關注先進材料。在各種先進
6月4日，中國領先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應商瞻芯電子，在第37屆國際功率半導體器件和集成電路研討會（ISPSD2025）
合盛硅業股份有限公司下屬單位 寧波合盛新材料有限公司成功研發12英寸（300mm）導電型碳化硅（SiC）晶體，并啟動切、磨、拋等加工技術的研究。
6月2日消息，據《日經新聞》近日報道，隨著電動汽車市場增長放緩，以及中國碳化硅（SiC）廠商持續增產，導致了碳化硅市場供應過
隨兩大巨頭退出碳化硅市場，環球晶、漢磊、嘉晶等中國臺灣碳化硅廠競爭對手又少一家，新一波轉單契機可期。
5月28日，位于湖北光谷科學島的長飛先進武漢基地投產，其首片6英寸碳化硅晶圓下線。