根據中建三局一公司官微，6月26日，中建三局一公司承建的廈門士蘭微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產線項目（一期）首臺設備提前搬入。項目是2025年福建省及廈門市重點建設項目也是廈門最大的碳化硅項目。

項目位于福建省廈門市翔安區，規劃總建筑面積達23.45萬平方米，定位為具備國際先進水平的8英寸SiC功率器件制造平臺。

項目建成投產后，將顯著提升士蘭微電子在碳化硅芯片制造領域的產能與技術能力，進一步鞏固其在中國第三代半導體產業鏈中的戰略地位，也將成為廈門市打造“東南半導體谷”的核心支撐工程之一。

士蘭微電子董事會秘書、副總裁陳越表示，他們總投資70億元的一期項目，將盡最大努力爭取在今年年底實現初步通線，明年一季度投產，到2028年底最終形成，年產42萬片8英寸SiC功率器件芯片的生產能力。