?晶越半導體繼2025年上半年成功量產8英寸碳化硅襯底后，公司持續投入并不斷加大研發力度，并在熱場設計、籽晶粘接、厚度提升以及缺陷控制方面不斷調整和優化工藝，在7月21日研制出高品質12英寸SiC晶錠，標志晶越成功進入12英寸SiC襯底梯隊。

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在未來，晶越將持續投入研發、專注于打磨產品、提高良率和參數優化，努力打造國內領先碳化硅材料提供商。

（來源：晶越半導體）