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氮化鎵（GaN）晶體作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料，具有帶隙寬、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率高、抗輻射能力強等優(yōu)異性能，在藍(lán)綠激

總投資5100余萬元建成后可助力龍游的半導(dǎo)體企業(yè)輕裝上陣。近日，芯盟高等級功率半導(dǎo)體廠房竣工驗收。4月9日上午，在芯盟高等級功

天眼查顯示，湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司碳化硅功率器件的制備方法及其碳化硅功率器件專利公布，申請公布日為2024年10月18日，申

納微半導(dǎo)體今日宣布其高功率旗艦GaNSafe氮化鎵功率芯片已通過AEC-Q100和AEC-Q101兩項車規(guī)認(rèn)證，這標(biāo)志著氮化鎵技術(shù)在電動汽車市

據(jù)中建一局建設(shè)發(fā)展公司官微消息，近日，中建一局建設(shè)發(fā)展公司中標(biāo)日月新半導(dǎo)體（廣州）有限公司新建項目一期土建及一般機電包工

2025年4月23-25日，第三屆九峰山論壇(JFSC)暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(CSE)將在武漢光谷科技會展中心盛大啟幕。作為其中的重頭戲

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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司申請一項名為一種用于PVT法生長碳化硅單晶的裝料裝置及其應(yīng)用的專利，

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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，蘇州長光華芯光電技術(shù)股份有限公司、蘇州長光華芯半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院有限公司取得一項名為模式調(diào)控

4月16日， 比利時半導(dǎo)體供應(yīng)商邁來芯（Melexis）正式公布其中國戰(zhàn)略的未來規(guī)劃。公司將基于在中國現(xiàn)有的業(yè)務(wù)根基，增設(shè)本地物流

4月23-25日，2025九峰山論壇(JFSC)暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(CSE)將在湖北武漢光谷科技會展中心隆重召開，華中科技大學(xué)EMBA思享

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作為國內(nèi)化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域規(guī)模最大、規(guī)格最高的行業(yè)盛會，2025九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會即將于4月23日至25日在中國光

近日，電科芯片所屬西南設(shè)計牽頭制定的國家標(biāo)準(zhǔn)《半導(dǎo)體集成電路-射頻發(fā)射器/接收器測試方法》正式實施。該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體集成

據(jù)新加坡《聯(lián)合早報》網(wǎng)站4月15日援引彭博新聞社報道，美國特朗普政府推進(jìn)對進(jìn)口半導(dǎo)體與藥品征收關(guān)稅的計劃，由商務(wù)部牽頭對這

4月15日，韓國宣布，將對該國至關(guān)重要的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的支持資金增加至33萬億韓元（約合232.5億美元），比2024年公布的26萬億韓元增

4月10日，意法半導(dǎo)體官網(wǎng)宣布 重塑制造布局和調(diào)整全球成本基礎(chǔ) 計劃。預(yù)計在未來3年，重點關(guān)注300mm 硅、200mm 碳化硅的先進(jìn)制造

意法半導(dǎo)體的EVLSERVO1伺服電機驅(qū)動器參考設(shè)計是一個尺寸緊湊的大功率電機控制解決方案，為設(shè)計人員探索創(chuàng)新、開發(fā)應(yīng)用和設(shè)計產(chǎn)

投資120億元的先導(dǎo)稀材項目，從正式簽約到實質(zhì)開工，不過4個月；相距不遠(yuǎn)，長飛先進(jìn)武漢基地進(jìn)入設(shè)備最后調(diào)試階段，預(yù)計今年5月