任職時間只有近1個月時間拜登計劃對中國生產的成熟制程半導體開展不公平貿易行為調查。
國家知識產權局信息顯示，上海積塔半導體有限公司申請一項名為檢測晶圓位置的方法、晶圓環切方法及晶圓環切裝置的專利，公開號 C
國家知識產權局信息顯示，浙江睿熙科技有限公司申請一項名為VCSEL 集成晶圓及其制造方法的專利，公開號 CN 119134035 A，申請日
經過近一年時間的醞釀籌備，中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）“半導體激光器專業委員會“（下稱“激光器專委會”）于2024年12月18日式正式成立。
12月17日，Cree LED宣布與達科（Daktronics）簽署一項為期多年的全球專利許可協議，該協議將于2024年12月生效。Cree LED將在協議
12月18日，深圳雷曼光電科技股份有限公司（下稱雷曼光電）與成都辰顯光電有限公司（下稱辰顯光電）在成都正式簽署戰略合作協議。
關于印發《標準提升引領原材料工業優化升級行動方案（2025—2027年）》的通知
歐盟理事會首次對中國實體實施“全面制裁”，外交部：堅決反對！
南京大學在宇航用抗輻照GaN功率器件方面取得新進展
中國氮化鎵晶圓制造商英諾賽科（02577.HK）啟動招股，并將于2024年12月23日結束招股。
“氮化鎵功率電子器件技術III”的分會上，嘉賓們齊聚，共同探討氮化鎵功率電子器件技術進展與發展趨勢。
武漢金信新材料有限公司（以下簡稱“金信新材料”）芯片用第三代半導體8英寸碳化硅晶錠項目完成研發，通過了行業專家驗證
英偉達、臺積電、海力士、博通、阿斯麥、中芯國際等45家半導體企業2024年第三季度財報匯總
銳芯微電子總部項目、邁為股份年產40條異質結電池整線設備項目、甬矽電子多維異構先進封裝技術研發及產業化項目、江蘇宏瑞興覆銅板生產項目、年產23000噸高端&高純石墨化材料制造項目、路芯半導體掩膜版生產項目迎來新進展。
新浪財經披露的《極越汽車供應商聯合聲明》稱，經不完全統計，極越汽車欠付所有供應商款項近20億元。
美國國防部宣布已于12月13日將中微半導體設備（上海）股份有限公司（Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China，AMEC）和IDG資本（IDG Capital Partners Co., Ltd.）從中國軍事企業清單（CMC清單或1260H清單）中移除。
半導體產業網獲悉：近日，根據破產資訊網披露的《北京世紀金光半導體有限公司管理人公開選聘審計、評估機構的公告》顯示，北京市
據媒體報道，近日，三安光電董事、副總經理林志東在受訪時表示，三安光電正在加快發展第三代化合物半導體產業，今年三安光電砷化
江蘇路芯半導體技術有限公司掩膜版生產項目迎來重要進展——首批工藝設備機臺成功搬入，標志著項目邁入新的階段。
“氮化鎵功率電子器件技術II”分會上，嘉賓們帶來精彩報告，共同探討氮化鎵功率電子器件技術發展。