以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼、石墨烯等為代表的超寬禁帶半導體材料具有更高的禁帶寬度、熱導率以及材料穩定性，有著顯著的
4月8日，2023特色工藝半導體產業發展常州峰會舉行。會上，寬禁帶半導體國家工程研究中心常州分中心揭牌，龍城芯谷項目啟動。常州
核心提示：半導體產業網訊：近日，武漢大學工業科學研究院袁超課題組在國際權威期刊《Journal of Applied Physics》上，以A review of ther
近日，廈門大學康俊勇教授團隊采用鐵電柵控方法，首次實現了對單層和雙層WS2的非易失性能谷調控，并在室溫下獲得了較高的谷極化
半導體產業網訊 近日，西安交大電子學院先進光電所云峰教授團隊在六方氮化硼薄膜大面積制備及剝離方面取得了重要進展。該成果以
作為新型的寬禁帶半導體材料，氧化鎵（Ga2O3）由于自身的優異性能，憑借其比第三代半導體材料SiC和GaN更寬的禁帶，在紫外探測、高頻功率器件等領域吸引了越來越多的關注和研究。
南沙通過強化招商引資工作，率先搶占產業發展制高點，引進培育了芯粵能、芯聚能、晶科電子、聯晶智能、南沙晶圓、先導半導體高端設備等一批行業龍頭企業，已初步形成覆蓋半導體和集成電路設計、制造、封裝測試、設備材料等全產業鏈環節。
近日，南方科技大學深港微電子學院教授于洪宇課題組和助理教授李攜曦課題組在寬禁帶半導體功率器件領域取得系列進展，