國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廣州華瑞升陽投資有限公司申請一項名為“寬禁帶半導體器件”的專利，公開號 CN 119170634 A，申請日期為2024年8月。

專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種寬禁帶半導體功率器件，包括至少一個元胞結(jié)構(gòu)，元胞結(jié)構(gòu)包括：襯底；寬禁帶半導體層，設(shè)于襯底之上；若干源極溝槽和柵極溝槽，均平行分布于寬禁帶半導體層，且兩者間隔設(shè)置；源區(qū)，設(shè)于源、柵極溝槽之間的寬禁帶半導體層中；第一源電極，設(shè)于源極溝槽內(nèi)，在源極溝槽側(cè)壁與寬禁帶半導體層形成肖特基接觸；柵電極，設(shè)于柵極溝槽內(nèi)；柵介質(zhì)層，包圍柵電極；第二源電極，設(shè)于第一源電極之上，并與源區(qū)形成歐姆接觸；電場調(diào)整區(qū)，設(shè)于至少一個第一源電極下方，用于調(diào)整源極溝槽間電場線分布；漏電極，設(shè)于襯底下面；其中，源極溝槽在垂直方向上的延伸長度超過柵極溝槽。本發(fā)明能降低寬禁帶半導體器件導通損耗和柵介質(zhì)層擊穿風險。