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北京大學物理學院凝聚態(tài)物理與材料物理研究所、寬禁帶半導體研究中心、人工微結(jié)構(gòu)和介觀物理國家重點實驗室、納光電子前沿科學中心楊學林、沈波團隊在氮化鎵外延薄膜中位錯的原子級攀移動力學研究上取得重要進展。

近日，半導體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室官網(wǎng)正式官宣寬禁帶半導體超越照明材料與技術(shù)全國重點實驗室重組獲批，但目前官網(wǎng)頁面的

進入第四季度以來，福建晶旭半導體科技有限公司二期項目基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產(chǎn)項目正開足馬力，搶抓施工

鎵仁半導體在超寬禁帶半導體材料領(lǐng)域取得重大突破

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廣州華瑞升陽投資有限公司申請一項名為寬禁帶半導體器件的專利，公開號 CN 119170634 A，申請日期為202

中國科學院上海微系統(tǒng)所異質(zhì)集成XOI團隊和南京電子研究所超寬禁帶半導體研究團隊合作，在金剛石基氧化鎵異質(zhì)集成材料與器件領(lǐng)域取得突破性進展。

期間，“超寬禁帶半導體技術(shù) I”分會上，深圳平湖實驗室第四代半導體首席科學家、新加坡工程院院士張道華做了“超寬禁帶半導體氧化鎵和氮化鋁特性研究”的主題報告，討論超寬帶隙半導體的研究狀況和主要問題，分享了實驗室團隊近來在氧化鎵和氮化鋁的理論研究和材料表征等方面所做的工作。

論壇期間的“功率模塊與電源技術(shù)應用峰會”上，天津大學教授薛凌霄、小鵬汽車功率系統(tǒng)總監(jiān)陳皓、瑞薩半導體寬禁帶半導體高級總監(jiān)嚴啟南、易能時代科技有限公司董事長兼CEO蘇昕、納微半導體應用總監(jiān)李賓、長城電源技術(shù)有限公司深圳研發(fā)中心副總經(jīng)理蔡磊、浙江大學副研究員閆海東、派恩杰半導體(浙江)有限公司應用主任工程師雷洋等專家們帶來精彩報告，共同探討功率模塊與電源技術(shù)應用的最新進展。

北京大學物理學院凝聚態(tài)物理與材料物理研究所、寬禁帶半導體研究中心、人工微結(jié)構(gòu)和介觀物理國家重點實驗室許福軍、沈波團隊創(chuàng)新

西安電子科技大學副校長、教授張進成將出席論壇，并將帶來《高功率寬禁帶半導體射頻器件研究進展》的大會報告。

北京大學教授、理學部副主任、寬禁帶半導體研究中心主任沈波將出席論壇，并將帶來《基于大失配外延的氮化物第三代半導體材料與器件》的大會報告，敬請期待！

IFWS的重要分會之一的“超寬禁帶半導體技術(shù)分會I”最新報告日程正式出爐。分會將于11月20日在蘇州國際博覽中心G館 ? G106召開，誠摯邀請業(yè)界同仁同聚！

研究背景-Ga?O? 作為新興超寬禁帶半導體材料，具有約 4.9 eV 的準直接帶隙，其光響應峰值正好落在日盲紫外波段，是制備日盲紫

2024年6月21至23日，“新一代半導體晶體技術(shù)及應用大會”將在山東濟南召開，北京大學教授、理學部副主任、寬禁帶半導體研究中心主任沈波受邀將出席會議，并帶來《AlN單晶襯底和外延薄膜的制備》的大會主旨報告

中國科學院寧波材料技術(shù)與工程研究所（以下簡稱寧波材料所）張文瑞研究員、郭煒研究員長期招聘博士后，招聘方向為氧化物、氮化物

寬禁帶半導體技術(shù)快速崛起，未來10年將對國際半導體產(chǎn)業(yè)格局重塑產(chǎn)生至關(guān)重要的影響。寬禁帶半導體是全球高技術(shù)競爭的關(guān)鍵領(lǐng)域之

隨著高性能、高功率、高頻率等需求的不斷擴展以及技術(shù)的不斷提升，超寬禁帶半導體呈現(xiàn)出越來越明顯的應用優(yōu)勢，在多個領(lǐng)域都具有

碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導體具有諸多優(yōu)勢，碳化硅電力電子器件優(yōu)異的高效、高壓、高溫和高頻特性，使其在家用電器、電機節(jié)

以金剛石、氧化鎵、氮化硼為代表的超寬禁帶半導體禁帶寬度、化學穩(wěn)定性、擊穿場強等優(yōu)勢，是國際半導體領(lǐng)域的研究熱點。其中，氧

氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等寬禁帶半導體材料廣泛用于信息化社會、人工智能、萬物互聯(lián)、現(xiàn)代農(nóng)業(yè)、現(xiàn)代醫(yī)療、智能交通、國防