一、課題組介紹

廈門大學寬禁帶半導體研究組依托國家集成電路產教融合創新平臺、教育部微納光電子材料與器件工程研究中心、福建省半導體材料及應用重點實驗室、福建省2011半導體光電材料及其高效轉換器件協同創新中心等平臺，長期致力于半導體材料、表面和界面、量子結構材料等凝聚態物理基礎領域研究，同時也基于深厚的凝聚態理論基礎，開展微電子學和固體電子學的應用研究，包括大功率LED、深紫外LED、日盲探測器、新型太陽能電池、自旋器件、納米材料與器件等等。近年來承擔了國家重點研發計劃、“973”規劃、“863”計劃、國家自然科學基金重點專項、省部級重點項目等研究50多項，在Nature Materials、Nature Electronics、Advanced Materials等著名國際學術刊物上發表論文數百篇。課題組擁有國際一流的材料生長、器件制備與表征平臺（如MOCVD、MBE、STM、TEM等），并與行業龍頭企業開展深度合作，推動科研成果產業化。 

二、合作導師介紹

康俊勇 教授、博士生導師，廈門大學“物理學”一級學科博士點、“微電子學與固體電子學”二級學科工科博士點學術帶頭人、“凝聚態物理”國家重點學科主要學術帶頭人。 

康俊勇教授長期從事化合物半導體晶體生長及其特性表征的教學和科研工作。培養研究生60余人，所指導的10多篇博士論文中，獲得全國優秀博士學位論文1篇，提名全國優秀博士論文1篇，福建省優秀博士論文獎。 

主持國家“973”、“863”、國家自然科學基金重大研究計劃和重點項目等數十項研究。先后研發了首臺強磁場晶體生長、納米級空間分辨率應變和電荷測試、原位納米結構綜合測試等設備。在高Al組分AlGaN量子結構等設計與生長及其深紫外表面等離子激元光源研發方面，取得了系列開拓性成果，被同行稱為“表面等離子激元深紫外光子學研究第一人”。在新型太陽能電池研發方面，首次將寬帶隙半導體調制到對太陽光中紅外線有效吸收，該成果2012年以“廈大研發新型太陽能光伏電池”名稱被列入最新十二大太陽能光伏電池新技術。在低維晶格及其耦合誘導的半導體新功能及其應用方面，取得多項重要的研究進展，獲得了國內外同行的高度評價。先后在 Nature Materials、Nature Electronics、Nature Communications、Nano Letters、Advanced Materials、Light-Science & Applications、Laser Photonics & Reviews等國際著名學術刊物上發表論文300余篇，他引約4500次；授權國家發明專利50余項；部分成果完成了向重要企業的技術轉讓，并實現產品產業化，年產值十多億元，部分產品在國家航空航天領域得到廣泛應用。榮獲國家政府特殊津貼、福建省科技進步一等獎、廈門市科技進步一等獎等。先后建立了超高真空、極低溫、強磁場、晶體生長及原位綜合測量等實驗條件；建立了福建省半導體材料及應用重點實驗室、半導體微納光電子材料與器件教育部工程研究中心，被譽為“廈門大學實驗物理奠基人”。榮獲“福建省先進工作者”、“廈門市勞動模范”等稱號。同時，推動了國家半導體照明產業化基地（廈門）的建設工作，牽頭與行業龍頭企業等創建了福建省半導體光電材料及其高效轉換器件協同創新中心，為廈門成為國家乃至世界的半導體產業重鎮做出重要貢獻，榮獲“廈門市科技創新杰出人才”。 

研究方向：

凝聚態物理、半導體材料物理、表面和界面物理、量子結構材料物理、微電子學與固體電子學、大功率LED、深紫外LED、新型太陽能電池

獲獎：

2014年獲全國優秀博士學位論文指導教師

2018年福建省科技進步一等獎(第一完成人)

2021年福建省科技進步一等獎(第二完成人)

2017年廈門市科技進步一等獎(第一完成人)

2014年獲國家政府特殊津貼

2018年獲福建省先進工作者

2014年獲廈門市勞動模范

2004年獲廈門市優秀教師

2019年廈門市科技創新杰出人才

吳雅蘋，博士、教授、博士生導師。國家優秀青年科學基金獲得者，2020年入選廈門大學“南強青年拔尖人才計劃A類人才”。

吳雅蘋教授長期致力于半導體新結構材料與新功能器件研究工作，主持及承擔國家優秀青年科學基金、國家自然科學基金重大研究計劃、科技部國家重點研發計劃、國家自然科學基金面上項目、青年項目等科技項目二十余項，迄今發表SCI論文七十余篇，并被多部專業學術論著與綜述性論文收錄為領域代表性成果，獲福建省自然科學優秀科學論文獎，多次受邀國際及國內學術會議邀請報告，授權國際與中國專利二十余件。

研究方向：寬禁帶半導體光電器件、低維量子結構與器件應用、石墨烯與類石墨烯二維材料、表面與界面物理、自旋電子學等方面。

三、招聘崗位及要求

崗位名稱：博士后研究員（2-3名）

研究方向：

· 寬禁帶半導體材料外延生長與缺陷調控

· 深紫外光電器件、功率電子器件設計與制備

·半導體材料與器件的理論模擬與表征

招聘標準：

1. 具有良好的思想政治素質和品德學風；

2. 已取得或即將取得材料科學、微電子、物理、電子工程等相關專業博士學位，獲得博士學位一般不超過3年；。

3. 年齡在35周歲（含）以下,身心健康；

4.具有寬禁帶半導體（GaN、SiC等）研究經驗，以第一作者發表過高水平學術論文，具備獨立科研能力和團隊協作精神；

四、薪資待遇與支持

·基本年薪：20-50萬元/年（含廈門大學博士后基礎年薪、課題組績效及省市補貼）；合作導師可根據博士后科研能力及表現，進一步追加配套，上不封頂。

·科研支持：提供充足科研經費，支持申報國家“博新計劃”、博士后科學基金等；

·福利保障：享受廈門大學教職工同等社保、公積金、子女入學待遇；可選擇入住校內博士后公寓（校園內，臨近幼兒園、超市等生活配套設施）

·職業發展：出站后表現優異者可推薦留校任教或推薦至國內外頂尖機構深造。

·其他待遇：享受五險一金、健康體檢、工會福利等。

五、申請方式

請將以下材料發送至聯系人郵箱（郵件主題注明“博士后申請-姓名-畢業院校-高校人才網”）：

1. 個人簡歷（含學習/工作經歷、研究成果及未來研究計劃）；

2. 代表性論文3篇；

聯系人：李老師

郵箱：xuliphys@xmu.edu.cn和boshijob@126.com

課題組官網：https://kanggroup.xmu.edu.cn

廈門大學寬禁帶半導體研究組誠邀海內外英才加盟，共創半導體科技未來！ 

來源：計算材料學