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11月9日消息，技術(shù)密集型的華為又帶來了全新的震撼新品，全新一代DriveONE 800V高壓碳化硅黃金動力平臺。其首發(fā)了行業(yè)內(nèi)量產(chǎn)最高

2023年11月27-30日，第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）將于廈門國際會議中心召開

隨著5G、碳中和、AI時代的來臨，芯片市場需求激增，以砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等為代表的化合物半導(dǎo)體市場

當(dāng)前第三代半導(dǎo)體繼往開來進入新的發(fā)展階段，人工智能、數(shù)字信息時代將為產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來動態(tài)且多樣復(fù)雜的機遇和挑戰(zhàn)。新科技時代背

日前，半導(dǎo)體設(shè)備制造企業(yè)特思迪完成B輪融資，本輪由臨芯投資領(lǐng)投，北京市高精尖基金、尚頎資本、中金啟辰、優(yōu)山資本、芯微投資

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息 第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日在廈門

敢字為先，謀封測產(chǎn)業(yè)新發(fā)展。第21屆中國半導(dǎo)體封裝測試技術(shù)與市場年會于10月26日在江蘇昆山盛大開幕。中國科學(xué)院院士、國家自然

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是現(xiàn)代信息社會的基石，是支撐當(dāng)前經(jīng)濟社會發(fā)展和保障國家安全的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性的產(chǎn)業(yè)。在中美貿(mào)易摩擦和市場

近日，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)所魏星研究員團隊在300 mm SOI晶圓制造技術(shù)方面取得突破性進展，制備出了國內(nèi)第一片300 mm射頻（RF）

近日，中國電科54所成功研發(fā)PCIe（一種高速串行計算機擴展總線標(biāo)準(zhǔn)）轉(zhuǎn)SRIO（一種串行高速互連協(xié)議）橋接芯片。該芯片采用全正向

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息 第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日在廈門

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息 第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日在廈門

第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日于廈門國際會議中心召開。目前論壇征文活動進入尾聲階段，論文擴展摘要&全文提交將于10月20日截至。請有意愿投稿者務(wù)必盡早提交。

香港科技園公司與微電子企業(yè)杰平方半導(dǎo)體簽署合作備忘錄 共同推動香港微電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展10月13日 - 由創(chuàng)新科技及工業(yè)局和引進重點企

以碳化硅、氮化鎵、砷化鎵和磷化銦為代表的化合物半導(dǎo)體材料，相比第一代單質(zhì)半導(dǎo)體，在高頻性能、高溫性能方面優(yōu)異很多，發(fā)展前

以碳化硅、氮化鎵、砷化鎵和磷化銦為代表的化合物半導(dǎo)體材料，相比第一代單質(zhì)半導(dǎo)體，在高頻性能、高溫性能方面優(yōu)異很多，發(fā)展前

第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日于廈門國際會議中心召開。組委會結(jié)合高校院所實際情況，積極采納專家學(xué)者的建議，以及各高校學(xué)生投稿時間的需求，決定將論文擴展摘要&全文提交截止日期延至10月20日。請有投稿意愿的投稿者務(wù)必于截止日前提交論文摘要。

9月20日，在山西綜改示范區(qū)中國電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地（二期）項目建設(shè)現(xiàn)場，施工車輛往來穿梭，挖掘機、樁機、鏟車等

9月19日，以半導(dǎo)體設(shè)備與新材料為主題的產(chǎn)學(xué)研對接會在北京大學(xué)東莞光電研究院（下稱北大光電院）召開。來自激光器、Micro LED、

日程出爐！2023化合物半導(dǎo)體器件與封裝技術(shù)論壇將于10月12-13日在深圳召開