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河北同光半導體股份有限公司國家企業技術中心揭牌暨年產20萬片8英寸碳化硅單晶襯底項目啟動儀式

碳化硅（SiC）技術領域的全球引領者 Wolfspeed（美國紐約證券交易所上市代碼：WOLF）于近日發布了全新的第 4 代（Gen 4）技術平

Wolfspeed正穩步推進其位于北卡羅來納州查塔姆縣的50億美元半導體工廠建設，該項目進展順利，即將完工并投產

以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料是我國制造業轉型升級的驅動因素和重要保證。記者從中國科學院微電子研究所獲悉，我國

被譽為電力電子系統心臟的功率器件，是實現電能變換和控制的核心，也是國計民生領域最為基礎、應用最為廣泛的元器件之一，其核心

劉新宇表示，合作團隊共同開展的碳化硅載荷，已于2024年11月搭乘天舟八號貨運飛船飛向太空，開啟了在中國空間站軌道的科學試驗之旅。

安森美 (onsemi) 宣布已完成以1.15億美元現金收購Qorvo碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET) 技術業務及其子公司United Silicon Car

據豫基建消息，在鄭州新密市，一個總投資額高達 150 億元的半導體先進制造業產業園項目即將拉開序幕。該項目備受各界矚目，承載

1月10日，杰立方半導體（香港）有限公司（以下簡稱杰立方）在大灣區（深圳）工商界高峰論壇及交流會2025上，與香港工業總會（FHK

天眼查顯示，深圳基本半導體有限公司碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備方法專利公布，申請公布日為2024年11月29日，申請公布號為

天眼查顯示，派恩杰半導體（浙江）有限公司基于S參數的數據處理方法、裝置及電子設備專利公布，申請公布日為2024年11月15日，申

該調查將初步評估中國的行為、政策和做法對碳化硅襯底或其他用作半導體制造投入的晶片生產的影響。

國家知識產權局信息顯示，華為技術有限公司申請一項名為碳化硅襯底及其制備方法、半導體器件、電子設備的專利，公開號 CN 119153

武漢金信新材料有限公司（以下簡稱“金信新材料”）芯片用第三代半導體8英寸碳化硅晶錠項目完成研發，通過了行業專家驗證

半導體產業網獲悉：近日，根據破產資訊網披露的《北京世紀金光半導體有限公司管理人公開選聘審計、評估機構的公告》顯示，北京市

天岳先進與您共探SEMICON Japan 2024科技之旅！

天岳先進將繼續秉持“先進 品質 持續”的理念，堅持自主創新，品質引領，為碳化硅行業的廣闊發展貢獻天岳力量。

“碳化硅功率器件及其封裝技術 I”分會上，加拿大多倫多大學電氣與計算機工程系教授吳偉東做了“SiC 功率 MOSFET老化檢測智能柵極驅動器”的主題報告，分享了相關研究進展。

合肥賽美泰克科技有限公司在新站高新區開業運營。

安森美（onsemi，納斯達克股票代碼：ON）宣布已與Qorvo達成協議，以1.15億美元現金收購其碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET) 技術