中宜創(chuàng)芯宣布成功將碳化硅粉體純度突破8N,粉體純度提升至8N8(99.9999998%),刷新全球行業(yè)紀(jì)錄。
7月7日,國家發(fā)展改革委辦公廳等四部門發(fā)布《關(guān)于促進大功率充電設(shè)施科學(xué)規(guī)劃建設(shè)的通知》。進一步優(yōu)化完善我國充電設(shè)施網(wǎng)絡(luò)布局
濟南市生態(tài)環(huán)境局發(fā)布了山東天岳先進科技股份有限公司碳化硅材料產(chǎn)業(yè)項目(一期)的獲批公示。
中建三局一公司承建的廈門士蘭微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目(一期)首臺設(shè)備提前搬入。
據(jù)香港特別行政區(qū)政府新聞公報網(wǎng)站,香港創(chuàng)新科技署(創(chuàng)科署)6 月 25 日宣布,創(chuàng)新及科技基金下設(shè)的新型工業(yè)評審委員會支持杰立
浙江晶瑞電子材料有限公司年產(chǎn)60萬片8英寸碳化硅襯底片切磨拋產(chǎn)線項目
據(jù)株洲新區(qū)發(fā)布消息,6月22日上午,諾天碳化硅半導(dǎo)體設(shè)備與基材生產(chǎn)基地項目投產(chǎn)儀式在株洲高新區(qū)舉行。該項目總投資約1.5億元,
深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司在粵港澳大灣區(qū)的產(chǎn)能布局再獲突破。6月4日,廣東省投資項目在線審批監(jiān)管平臺公示顯示,其全資子公司
諾天碳化硅半導(dǎo)體設(shè)備與基材生產(chǎn)基地項目投產(chǎn)儀式舉行。
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(CASAS)發(fā)布《三電平SiC MOSFET功率模塊開關(guān)動態(tài)特性測試方法》和《半橋拓?fù)渲蠸iC MOSFET開關(guān)損耗準(zhǔn)確評估測試方法》兩項標(biāo)準(zhǔn)立項通知。詳情如下:
在近期落幕的第 37 屆功率半導(dǎo)體器件與集成電路國際會議(IEEE ISPSD 2025)上,浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院電力電子器件實驗室(PEDL)取得了令人矚目的成績。團隊共有四篇論文被選為大會全體報告(Oral Session)。該核心報告數(shù)量在全球所有高校、研究機構(gòu)和企業(yè)中位居第一,充分彰顯了浙大 PEDL 團隊在寬禁帶功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越科研實力。
基本半導(dǎo)體(中山)有限公司(以下簡稱“中山基本”)成功競得火炬高新區(qū)民眾街道深中合作區(qū)22畝地塊,這標(biāo)志著中山首個碳化硅模塊封裝產(chǎn)線建設(shè)項目正式落戶火炬高新區(qū)。
來自濟南的半導(dǎo)體企業(yè)——山東天岳先進科技股份有限公司,憑借其在碳化硅襯底材料技術(shù)上取得的革命性突破,榮獲由日本權(quán)威半導(dǎo)體媒體《電子器件產(chǎn)業(yè)新聞》頒發(fā)的“半導(dǎo)體電子材料”類金獎。這是中國企業(yè)在該獎項設(shè)立31年以來的首次問鼎
市場對高效、清潔和可持續(xù)能源解決方案的需求日益增長,這推動了功率半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展,也要求人們更加關(guān)注先進材料。在各種先進
6月4日,中國領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應(yīng)商瞻芯電子,在第37屆國際功率半導(dǎo)體器件和集成電路研討會(ISPSD2025)
合盛硅業(yè)股份有限公司下屬單位 寧波合盛新材料有限公司成功研發(fā)12英寸(300mm)導(dǎo)電型碳化硅(SiC)晶體,并啟動切、磨、拋等加工技術(shù)的研究。
6月2日消息,據(jù)《日經(jīng)新聞》近日報道,隨著電動汽車市場增長放緩,以及中國碳化硅(SiC)廠商持續(xù)增產(chǎn),導(dǎo)致了碳化硅市場供應(yīng)過
隨兩大巨頭退出碳化硅市場,環(huán)球晶、漢磊、嘉晶等中國臺灣碳化硅廠競爭對手又少一家,新一波轉(zhuǎn)單契機可期。
5月28日,位于湖北光谷科學(xué)島的長飛先進武漢基地投產(chǎn),其首片6英寸碳化硅晶圓下線。
據(jù)報道,日前 ,新加坡科技研究局(下簡稱A-STAR)推出全球首個工業(yè)級200毫米碳化硅開放研發(fā)生產(chǎn)線。A-STAR是新加坡政府下屬的主
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