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氮化鎵（GaN）基電子器件具有高頻、高效、耐高溫及抗輻射等特性，是下一代高效電力電子與射頻電子系統(tǒng)的核心支撐器件，已在5G/6G

7月1日，卓勝微發(fā)布公告稱，公司擬向特定對象發(fā)行A股股票，募集資金總額不超過34.75億元，扣除發(fā)行費用后擬用于射頻芯片制造擴產(chǎn)

國科新能創(chuàng)投Family 成員企業(yè)——安徽矽磊電子科技有限公司接近感應芯片和模組完成內(nèi)部測試并宣布投產(chǎn)，標志著該公司在產(chǎn)品矩陣上實現(xiàn)新的進展，同時凸顯了在國產(chǎn)射頻芯片領域的技術實力。

近日，位于成都高新西區(qū)、總投資額4.7億元的微波射頻產(chǎn)業(yè)園（西區(qū)）項目啟動建設。作為成都打造微波之都的關鍵載體，該項目聚焦

5月22-24日， “2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。北京國聯(lián)萬眾半導體科技有限公司總經(jīng)理助理王川寶將受邀出席論壇，并帶來《SiC基GaN射頻芯片與電力電子芯片技術》的大會報告，

近日，電科芯片所屬西南設計牽頭制定的國家標準《半導體集成電路-射頻發(fā)射器/接收器測試方法》正式實施。該標準規(guī)定了半導體集成

作為中國半導體測試領域的標桿企業(yè)，南京派格測控科技有限公司憑借其X116射頻測試機和X540毫米波測試機兩款王牌產(chǎn)品，成為展會焦點

近日，九峰山實驗室科研團隊在全球首次實現(xiàn)8英寸硅基氮極性氮化鎵（N-polar GaNOI）高電子遷移率材料的制備。該成果將助力射頻前

國家知識產(chǎn)權局信息顯示，北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司申請一項名為工藝腔室及半導體工藝設備的專利，公開號 CN 119495543 A

2028 年全球移動終端射頻前端市場將達到 269 億美元，年均增長率約為 5.8%。

2024年光谷招商引資活力迸發(fā)，全年億元以上簽約項目超百個，進展如何，向光谷人報告。敏聲打造國內(nèi)射頻MEMS頭部武漢敏聲是國內(nèi)射

當?shù)貢r間1月16日，電源、汽車和物聯(lián)網(wǎng)半導體領域的領導者英飛凌科技股份公司宣布成立一個新的業(yè)務部門，將現(xiàn)有的傳感器和射頻（R

唐晶量子化合物半導體外延片研發(fā)和生產(chǎn)項目將扭轉(zhuǎn)化合物半導體激光器外延片長期依賴進口的局面，助力下游半導體激光器、射頻芯片等國產(chǎn)化。

“氮化鎵射頻電子器件與應用分會”上，深圳市匯芯通信技術有限公司、國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心副總經(jīng)理、CTO 許明偉做了“FLAB：特色射頻半導體的技術創(chuàng)新模式探索”的主題報告，分享了國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心FLAB三代特色半導體工藝技術創(chuàng)新的新模式，包括硬件建設、軟件建設、開發(fā)體系、技術路線等。

“氮化鎵射頻電子器件與應用”技術分會上，香港科技大學高通光學實驗室主任、教授、高武半導體（香港）有限公司創(chuàng)始人俞捷，小米通訊技術有限公司高級硬件研發(fā)工程師孫躍，中國科學技術大學微電子學院教授、安徽云塔電子科技有限公司創(chuàng)始人左成杰，西安電子科技大學教授薛軍帥，深圳市匯芯通信技術有限公司、國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心副總經(jīng)理、CTO許明偉，蘇州能訊高能半導體有限公司研發(fā)總監(jiān)張新川，中國科學院半導體研究所副研究員張連，九峰山實驗室熊鑫，江南大學集成電路學院博士劉濤，中國科學院微電子研究所張國祥等嘉賓們帶來精彩報告

西安電子科技大學副校長、教授張進成將出席論壇，并將帶來《高功率寬禁帶半導體射頻器件研究進展》的大會報告。

作為IFWS的重要技術分會之一的“ 氮化鎵射頻電子器件與應用”分會最新報告日程正式出爐！

作為IFWS的重要分會之一的“ 氮化鎵射頻電子器件與應用”分會最新報告日程正式出爐，將有來自將有香港科技大學高通光學實驗室、高武半導體，小米通訊技術，匯芯通信/國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心，中國科學技術大學、云塔電子，能訊高能半導體，中國科學院半導體研究所，九峰山實驗室，江南大學，中國科學院微電子研究所的專家們分享精彩主題報告。

據(jù)云塔科技消息，1月15日，中國科學技術大學微電子學院孫海定教授牽頭的國家重點研發(fā)計劃戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新合作重點專項基于第三代

2023年11月28日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于廈門國際會議中心盛大開幕。