據(jù)云塔科技消息，1月15日，中國科學技術(shù)大學微電子學院孫海定教授牽頭的國家重點研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新合作”重點專項“基于第三代半導體氮化鎵和氮化鈧鋁異質(zhì)集成射頻微系統(tǒng)芯片研究”項目啟動會暨實施方案論證會在云塔科技（安努奇）舉行。

該項目是由中國科學技術(shù)大學牽頭，香港科技大學作為香港方合作單位以及安徽安努奇科技有限公司作為參研單位，共同開展聯(lián)合攻關(guān)。

消息稱，項目面向國家在高頻、大帶寬和高功率密度戰(zhàn)略性高端通信芯片和射頻模組的迫切需求，開展基于第三代半導體氮化鎵和氮化鈧鋁（GaN/AlScN）異質(zhì)集成射頻微系統(tǒng)芯片研究，充分結(jié)合中科大、港科大、安努奇科技三方在射頻前端領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢與產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗，針對關(guān)鍵技術(shù)難題組建課題攻關(guān)小組，提高射頻微系統(tǒng)芯片的技術(shù)創(chuàng)新能力，實現(xiàn)攻堅克難與關(guān)鍵核心技術(shù)的突破，促進我國射頻前端整體水平進入國際先進行列。