高性能氮化鎵（GaN）金屬氧化物半導體（MOS）晶體管離不開具有低界面態和低漏電流的高質量MOS結構。然而，與SiO2/Si體系相比，氧
8月12日，第六屆全國寬禁帶半導體學術會議在大連落下帷幕。會議每兩年一屆，至今已成功舉辦了六屆，第七屆全國寬禁帶半導體學術會議將由鄭州大學接棒舉辦。
北京大學物理學院凝聚態物理與材料物理研究所、寬禁帶半導體研究中心、人工微結構和介觀物理全國重點實驗室、納光電子前沿科學中
8月11日，第六屆全國寬禁帶半導體學術會議在大連開幕。
為推動我國寬禁帶半導體領域的發展，促進產學研交流與協同創新，中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業委員會、中國電子學會電子材料
倒計時2天｜第六屆全國寬禁帶半導體學術會議8月10-13日大連召開！
邀請函 | 納維科技邀您共赴第六屆全國寬禁帶半導體學術會議
8月10日-13日，我國寬禁帶半導體領域的行業盛會——第六屆全國寬禁帶半導體學術會議將在大連舉辦。華夏芯將攜最新產品方案亮相本次學術盛會（展位號：A18），誠邀業界同仁蒞臨會議現場，交流探討。
8月10日-13日，我國寬禁帶半導體領域的行業盛會——第六屆全國寬禁帶半導體學術會議將在大連舉辦。潤新微電子將攜最新產品方案亮相本次學術盛會，誠摯邀請行業專家學者、業界同仁交流與探討。
為推動我國寬禁帶半導體領域的發展，促進產學研交流與協同創新，中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業委員會、中國電子學會電子材料
邀請函 | 矢量集團邀您參加第六屆全國寬禁帶半導體學術會議
北京大學在IEEE ISPSD發表2項寬禁帶半導體功率器件重要技術進展！
2025年8月10日-13日，我國寬禁帶半導體領域的行業盛會——第六屆全國寬禁帶半導體學術會議將在大連舉辦。
【邀請函】科利德邀您共赴第六屆全國寬禁帶半導體學術會議
由寬禁帶半導體國家工程研究中心主辦，InSemi Research、協創微半導體聯合承辦，碳化硅芯觀察協辦，功率半導體行業聯盟、高端芯片產業創新發展聯盟、無錫市半導體行業協會、無錫市集成電路學會協辦的“功率器件制造測試與應用大會(第三屆IPF 2025)”將于2025年8月21-22日在中國無錫盛大啟幕。
近日，北京大學物理學院凝聚態物理與材料物理研究所、寬禁帶半導體研究中心、人工微結構和介觀物理全國重點實驗室、納光電子前沿科學中心唐寧、沈波團隊和北京理工大學物理學院段俊熙團隊合作在原子級薄六方氮化硼的能帶結構研究上取得重要進展。
8月10日-13日，第六屆“全國寬禁帶半導體學術會議”將于大連舉辦。
西安電子科技大學集成電路學部郝躍教授團隊張進成教授、寧靜教授聯合武漢大學何軍教授團隊在寬禁帶半導體材料領域取得突破性進展
近日，一項關于范德華外延高質量超薄氮化物半導體材料的研究成果發表于《Advanced Materials》，該研究由武漢大學何軍教授團隊與西安電子科技大學郝躍院士團隊張進成教授、寧靜教授合作完成，武漢大學文耀副研究員與西安電子科技大學寧靜教授與為論文共同第一作者，何軍教授、張進成教授為論文共同通訊作者。
第六屆全國寬禁帶半導體學術會議征文&報名火熱進行中！