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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，上海積塔半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為檢測(cè)晶圓位置的方法、晶圓環(huán)切方法及晶圓環(huán)切裝置的專利，公開號(hào) C

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，浙江睿熙科技有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為VCSEL 集成晶圓及其制造方法的專利，公開號(hào) CN 119134035 A，申請(qǐng)日

經(jīng)過近一年時(shí)間的醞釀籌備，中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）“半導(dǎo)體激光器專業(yè)委員會(huì)“（下稱“激光器專委會(huì)”）于2024年12月18日式正式成立。

12月17日，Cree LED宣布與達(dá)科（Daktronics）簽署一項(xiàng)為期多年的全球?qū)＠S可協(xié)議，該協(xié)議將于2024年12月生效。Cree LED將在協(xié)議

12月18日，深圳雷曼光電科技股份有限公司（下稱雷曼光電）與成都辰顯光電有限公司（下稱辰顯光電）在成都正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。

關(guān)于印發(fā)《標(biāo)準(zhǔn)提升引領(lǐng)原材料工業(yè)優(yōu)化升級(jí)行動(dòng)方案（2025—2027年）》的通知

歐盟理事會(huì)首次對(duì)中國(guó)實(shí)體實(shí)施“全面制裁”，外交部：堅(jiān)決反對(duì)！

南京大學(xué)在宇航用抗輻照GaN功率器件方面取得新進(jìn)展

中國(guó)氮化鎵晶圓制造商英諾賽科（02577.HK）啟動(dòng)招股，并將于2024年12月23日結(jié)束招股。

“氮化鎵功率電子器件技術(shù)III”的分會(huì)上，嘉賓們齊聚，共同探討氮化鎵功率電子器件技術(shù)進(jìn)展與發(fā)展趨勢(shì)。

武漢金信新材料有限公司（以下簡(jiǎn)稱“金信新材料”）芯片用第三代半導(dǎo)體8英寸碳化硅晶錠項(xiàng)目完成研發(fā)，通過了行業(yè)專家驗(yàn)證

英偉達(dá)、臺(tái)積電、海力士、博通、阿斯麥、中芯國(guó)際等45家半導(dǎo)體企業(yè)2024年第三季度財(cái)報(bào)匯總

銳芯微電子總部項(xiàng)目、邁為股份年產(chǎn)40條異質(zhì)結(jié)電池整線設(shè)備項(xiàng)目、甬矽電子多維異構(gòu)先進(jìn)封裝技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、江蘇宏瑞興覆銅板生產(chǎn)項(xiàng)目、年產(chǎn)23000噸高端&高純石墨化材料制造項(xiàng)目、路芯半導(dǎo)體掩膜版生產(chǎn)項(xiàng)目迎來新進(jìn)展。

新浪財(cái)經(jīng)披露的《極越汽車供應(yīng)商聯(lián)合聲明》稱，經(jīng)不完全統(tǒng)計(jì)，極越汽車欠付所有供應(yīng)商款項(xiàng)近20億元。

美國(guó)國(guó)防部宣布已于12月13日將中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China，AMEC）和IDG資本（IDG Capital Partners Co., Ltd.）從中國(guó)軍事企業(yè)清單（CMC清單或1260H清單）中移除。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：近日，根據(jù)破產(chǎn)資訊網(wǎng)披露的《北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司管理人公開選聘審計(jì)、評(píng)估機(jī)構(gòu)的公告》顯示，北京市

據(jù)媒體報(bào)道，近日，三安光電董事、副總經(jīng)理林志東在受訪時(shí)表示，三安光電正在加快發(fā)展第三代化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，今年三安光電砷化

江蘇路芯半導(dǎo)體技術(shù)有限公司掩膜版生產(chǎn)項(xiàng)目迎來重要進(jìn)展——首批工藝設(shè)備機(jī)臺(tái)成功搬入，標(biāo)志著項(xiàng)目邁入新的階段。

“氮化鎵功率電子器件技術(shù)II”分會(huì)上，嘉賓們帶來精彩報(bào)告，共同探討氮化鎵功率電子器件技術(shù)發(fā)展。

日本國(guó)立材料研究所廖梅勇團(tuán)隊(duì)證明了利用Ib型單晶金剛石（SCD）襯底表面態(tài)和深層缺陷的協(xié)同效應(yīng)，可以實(shí)現(xiàn)低工作電壓（<5 V）的超高增益DUV光電探測(cè)器（PD）。