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團(tuán)聚金剛石技術(shù)是中機(jī)新材在金剛石減薄砂輪領(lǐng)域的一大創(chuàng)新。通過這一技術(shù)，能夠有效地解決微粉磨料的軟團(tuán)聚問題，提高混料的均勻性。

11月18-21日，IFWS2024&SSLCHINA2024、先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS）將在蘇州國際博覽中心舉辦。目前，“氮化物半導(dǎo)體固態(tài)紫外技術(shù)及應(yīng)用分會”最新報(bào)告日程正式出爐。

河北：推動新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展

美國芝加哥大學(xué)普利茲克分子工程學(xué)院團(tuán)隊(duì)展示了界面生物電子學(xué)領(lǐng)域的新突破：他們創(chuàng)造出具有強(qiáng)大半導(dǎo)體功能的新型水凝膠材料。

10月28日，光谷機(jī)器人生態(tài)創(chuàng)新中心（以下簡稱中心）啟動，華中科技大學(xué)、武漢科技大學(xué)、武漢工程大學(xué)等首批12所高校機(jī)器人研發(fā)團(tuán)

熱烈慶祝盛美臨港研發(fā)與制造中心迎來里程碑時刻——首臺量測設(shè)備 KLA-Tencor Surfscan SP7入駐研發(fā)潔凈室！

作為IFWS的重要技術(shù)分會之一的“ 氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用”分會最新報(bào)告日程正式出爐！

英飛凌在處理和加工史上最薄的硅功率晶圓方面取得了突破性進(jìn)展，這種晶圓直徑為300mm，厚度為20μm。厚度僅有頭發(fā)絲的四分之一，是目前最先進(jìn)的40-60μm晶圓厚度的一半。

作為IFWS的重要分會之一的“ 氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用”分會最新報(bào)告日程正式出爐，將有來自將有香港科技大學(xué)高通光學(xué)實(shí)驗(yàn)室、高武半導(dǎo)體，小米通訊技術(shù)，匯芯通信/國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)、云塔電子，能訊高能半導(dǎo)體，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，九峰山實(shí)驗(yàn)室，江南大學(xué)，中國科學(xué)院微電子研究所的專家們分享精彩主題報(bào)告。

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，山東粵海金半導(dǎo)體科技有限公司取得一項(xiàng)名為種專用的碳化硅襯底Wafer倒角裝置的專利，授權(quán)公告號CN 2218

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，漢斯半導(dǎo)體（江蘇）有限公司取得一項(xiàng)名為一種 IGBT 模塊封裝外殼拋光裝置的專利，授權(quán)公告號 CN 221871

壓力之下，聞泰科技如何在逆境中找到破局之道，不僅穩(wěn)固了市場地位，更實(shí)現(xiàn)了業(yè)績的飛躍？

拜登政府敲定針對美國個人和公司投資中國先進(jìn)技術(shù)的限制，其中包括半導(dǎo)體、量子計(jì)算和人工智能（AI）。新規(guī)旨在防止美國資本和專業(yè)知識被用來幫助中國開發(fā)先進(jìn)科技關(guān)鍵技術(shù)。

由于先進(jìn)封裝可以大幅提高芯片良率、降低設(shè)計(jì)復(fù)雜度及減少芯片制造成本，已成為美日對華半導(dǎo)體競爭的最前沿。

工業(yè)和信息化部、國家發(fā)展改革委、財(cái)政部、國務(wù)院國資委、市場監(jiān)管總局、國家數(shù)據(jù)局等六部門近日聯(lián)合印發(fā)通知，部署開展2024年度

國家機(jī)關(guān)事務(wù)管理局、中共中央直屬機(jī)關(guān)事務(wù)管理局聯(lián)合印發(fā)了《關(guān)于做好中央和國家機(jī)關(guān)新能源汽車推廣使用工作的通知》

總投資30億元！盤古半導(dǎo)體多芯片高密度板級扇出先進(jìn)封裝項(xiàng)目喜封金頂

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，蘇州高視半導(dǎo)體技術(shù)有限公司申請一項(xiàng)名為基于晶圓檢測系統(tǒng)的晶圓檢測方法及其相關(guān)產(chǎn)品的專利，公開號 C

德州儀器 (TI)（納斯達(dá)克股票代碼：TXN）近日宣布，公司基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導(dǎo)體已在日本會津工廠開始投產(chǎn)。隨著會津工廠