?9月15日，東科半導(dǎo)體（安徽）股份有限公司與北京大學(xué)共同組建的第三代半導(dǎo)體聯(lián)合研發(fā)中心正式揭牌成立。由北京大學(xué)科學(xué)研究部謝冰部長(zhǎng)及馬鞍山市委書(shū)記袁方共同為北大-東科聯(lián)合研發(fā)中心揭牌。

揭牌儀式（圖左為袁方書(shū)記，右為謝冰部長(zhǎng)）

北大-東科第三代半導(dǎo)體聯(lián)合研發(fā)中心，（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“研發(fā)中心”）將瞄準(zhǔn)國(guó)家和產(chǎn)業(yè)發(fā)展全局的創(chuàng)新需求，以第三代半導(dǎo)體氮化鎵關(guān)鍵核心技術(shù)和重大應(yīng)用研發(fā)為核心使命，重點(diǎn)突破材料、器件、工藝技術(shù)瓶頸，增強(qiáng)東科半導(dǎo)體在第三代半導(dǎo)體技術(shù)上的創(chuàng)新能力和市場(chǎng)主導(dǎo)力。

打造高層次人才研發(fā)隊(duì)伍

北京大學(xué)集成電路學(xué)科作為我國(guó)第一個(gè)半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)，在學(xué)科建設(shè)、師資隊(duì)伍等綜合實(shí)力均處于國(guó)內(nèi)一流領(lǐng)先水平。 而東科半導(dǎo)體作為國(guó)內(nèi)最先研發(fā)布局氮化鎵芯片研究的企業(yè)，國(guó)內(nèi)首創(chuàng)合封氮化鎵電源管理芯片，其產(chǎn)品性能指標(biāo)等同或部分超出國(guó)外同類(lèi)產(chǎn)品，并以高性能、高可靠性和低功耗等特性被市場(chǎng)廣泛認(rèn)可，實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。

東科半導(dǎo)體在繼青島、無(wú)錫、深圳、馬鞍山研發(fā)中心后新成立的北京研發(fā)中心，將借助北京大學(xué)及其他首都高校的研發(fā)技術(shù)及人才優(yōu)勢(shì)，以高標(biāo)準(zhǔn)打造出一支學(xué)歷層次高、專(zhuān)業(yè)覆蓋面廣、技術(shù)力量雄厚、產(chǎn)學(xué)研聯(lián)系緊密的研發(fā)隊(duì)伍。

隨著氮化鎵技術(shù)的不斷突破與完善，下游新的應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模將不斷爆發(fā)，同時(shí)氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體，其優(yōu)異特性將成為提升下游產(chǎn)品性能、降本增效、可持續(xù)綠色發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)之一。

未來(lái)，東科半導(dǎo)體的氮化鎵芯片將在繼續(xù)深耕快充等消費(fèi)電子細(xì)分領(lǐng)域市場(chǎng)的同時(shí)，進(jìn)一步拓展進(jìn)入通信、工業(yè)電源、光伏、新能源等眾多產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，為推進(jìn)芯片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程不斷前行。