會議審議了國創(chuàng)中心《理事會章程》《建設運行方案》《2022年工作重點及目標》《第三代半導體躍升工程行動計劃（建議稿）》，審議通過了第一屆理事長、副理事長、理事，專家委員會主任、成員，國創(chuàng)中心主任人選，并聽取了國創(chuàng)中心前期工作匯報。

 

　　國創(chuàng)中心由科技部批復同意建設，旨在瞄準國家戰(zhàn)略需求，統(tǒng)籌全國優(yōu)勢力量，聚焦第三代半導體關(guān)鍵核心技術(shù)和重大應用方向，推進各類相關(guān)創(chuàng)新主體和創(chuàng)新要素有效協(xié)同，輸出高質(zhì)量科技創(chuàng)新成果，培育發(fā)展新動能,推動我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力整體躍升。

 

 

 

　　國創(chuàng)中心按照“一體統(tǒng)籌規(guī)劃、多地分布布局、協(xié)同聯(lián)動創(chuàng)新”和“存量帶動增量”的建設思路，在科技部的統(tǒng)一指導下，由中國電科與相關(guān)省市協(xié)商設立，布局深圳、南京、蘇州、湖南、山西、北京等六個區(qū)域中心，有效銜接政府支持和企業(yè)需求，聯(lián)合行業(yè)龍頭企業(yè)，協(xié)同全國50余家科研機構(gòu)，初步形成了“核心+基地+網(wǎng)絡”的創(chuàng)新格局。目前，已聚集第三代半導體領(lǐng)域多個院士團隊，行業(yè)領(lǐng)軍人才50余名，形成500多人規(guī)模的專職團隊，聚焦產(chǎn)業(yè)鏈薄弱環(huán)節(jié)重點發(fā)力，取得了階段性進展和成效。

 

　　會議以“現(xiàn)場+視頻”形式舉行。北京、山西、江蘇、湖南、深圳、南京、蘇州等地有關(guān)部門負責人，國創(chuàng)中心相關(guān)建設單位負責人參加會議。