中科潞安相關負責人表示，自公司成立之初，公司即著手布局大功率LED芯片的研發生產，經過技術人員的不懈努力及協同攻關，已成功研制出光功率輸出在120mW以上的大功率芯片，該芯片無論是研發性能還是量產水平，均走在行業前列，可更好地滿足UVC-LED市場的多元化需求。

 

中科潞安致力于打造深紫外LED行業領軍企業，將技術革新作為企業生存和發展的內驅力，申報了十余項國家級、省市級科技項目。特別是在2020年立項的“氮化鎵基高效深紫外LED芯片技術”項目的支持下，大功率芯片關鍵技術取得了創新突破。

 

中科潞安45*45mil大功率LED芯片，在外延結構優化、初始版圖設計、電極結構設計、電極歐姆接觸驗證及多工段的工藝優化等方面，均做了大量的實驗驗證及技術攻關，尤其較為關鍵的p型AlGaN和芯片電極經持續優化、改進，實現了光電性能的大幅躍升。

中科潞安45*45mil UVC-LED

 

該大功率LED芯片，經國內權威第三方檢測機構檢測結果顯示，在注入電流350mA的條件下，輸出光功率可達88.39mW，工作電壓5.71V；在注入電流500mA的條件下，輸出光功率可達122.82mW，工作電壓5.90V；飽和電流可達1860mA。該水平在國內市場首屈一指，可以實現穩定量產。

大功率深紫外芯片目前主要應用于靜態水模組、流動水殺菌等對殺菌性能和效果要求較高的場景。與此同時，中科潞安積極響應客戶需求，不斷升級改造，加快拓展應用領域，芯片功率和效率的提升將會推動未來深紫外LED產業的快速發展。（中科潞安）