超芯星新一代8mΩ·cm低阻碳化硅襯底，擁有零TSD缺陷和極低的BPD密度（53個/cm2）的卓越晶質，將為下游客戶帶來四大核心變革：?
導通損耗大幅降低，系統效率顯著提升；
運行溫度顯著下降，可靠性增強，功率密度再突破；
開關性能明顯優化，響應更快、損耗更低；
整體成本更具競爭力，為產品升級預留更大空間；
（來源：超芯星）?
超芯星革新性推出8mΩ·cm低阻碳化硅襯底
發表于：2025-09-05
來源：半導體產業網 編輯：