?東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱"東芝電子元件"）與山東天岳先進科技股份有限公司（以下簡稱"天岳先進"）就天岳先進開發制造的SiC功率半導體用襯底達成基本協議，雙方將開展以下合作：針對SiC功率半導體特性提升與品質改善的技術協作，以及運用合作成果擴大高品質穩定襯底供應的商業合作。今后雙方將就共同推進或相互協作的具體事項展開詳細磋商。
承擔電力供應與控制功能的功率半導體，是實現所有電氣設備節能化及碳中和不可或缺的半導體元件。在設備電力使用效率提升等需求背景下，預計未來其市場需求將持續擴大。其中采用SiC襯底的功率半導體，因其應用于電動汽車、可再生能源系統等要求高效電力轉換場景，在電力效率之外，可靠性與品質穩定性也成為重要課題。 基于此，東芝電子元件以鐵路用SiC功率半導體的開發、制造及供應實績為基礎，正加速推進服務器電源用、車載用等SiC器件開發，未來將致力于進一步降低SiC功率半導體損耗，開發面向高效電力轉換應用的高可靠性、高效率產品。為此，除東芝電子元件自主研發外，與SiC襯底技術改良的緊密協作也至關重要。此次與在SiC襯底開發及量產技術領域具有全球領導地位的天岳先進達成具體合作，有望為各應用場景提供最優解決方案，加速業務拓展。 天岳先進自2010年創立以來，始終專注于單晶SiC襯底的開發生產。公司將品質與技術研發作為核心經營理念，碳化硅襯底領域相關專利數量全球前五。以2022年中國首家SiC概念企業上市為契機，實現了全球化業務拓展與市場份額垂直增長。2024年率先發布全球首款12英寸SiC襯底，2025年實現n型、半絕緣型及p型全系產品12英寸襯底布局。未來將繼續通過卓越品質與尖端技術，致力于成為客戶信賴的企業。此次與東芝電子元件達成合作，天岳先進將把SiC功率半導體產品的需求，以及東芝對SiC襯底核心技術應用的期待，轉化為襯底品質與可靠性的提升，助力SiC功率半導體市場發展。 東芝電子元件與天岳先進將基于此次簽署的基本協議，繼續商討具體合作內容，以推動雙方業務發展。 （注：根據行業慣例，"SICC"采用企業中文官方名稱"山東天岳先進科技股份有限公司"的簡稱"天岳先進"；"東芝デバイス＆ストレージ株式會社"采用中國官方注冊名稱"東芝電子元件及存儲裝置株式會社"的簡稱"東芝電子元件"） （來源：天岳先進）