?近日，國際半導體產業協會（SEMI）發布了最新的預測數據，為全球半導體制造設備市場的發展勾勒出清晰的藍圖。數據顯示，2025年全球半導體制造設備銷售額將實現同比7.4%的增長，達到1255億美元，創下歷史新高。而在先進邏輯、存儲以及技術轉型等多重因素的積極帶動下，2026年半導體制造設備銷售額有望進一步攀升至1381億美元，展現出強勁的發展勢頭。?

SEMI總裁兼首席執行官Ajit Manocha對此表示：“在2024年實現強勁增長之后，預計今年全球半導體制造設備銷售額將再次擴大，并且在2026年創下新的紀錄。盡管半導體行業始終在密切關注宏觀經濟所存在的不確定性，但人工智能推動下的芯片創新需求，正不斷驅動著對產能擴張和領先生產的投資。”?

各國密集出臺扶持政策仍在強化本土產能。美國憑借《芯片與科學法案》，以390億美元建廠補貼和投資稅抵免吸引臺積電、三星落地，著力構建“技術-產能-市場”閉環；中國“大基金三期”的3000億元資金精準投向設備與材料領域，聚焦28nm以下制程突破；歐盟則通過430億歐元芯片法案，計劃2030年將全球市場份額翻倍，并推動設備采購向本土傾斜。這些政策共同催生了本土半導體設備的投資熱潮，帶動相關需求顯著增長，重塑著全球半導體產業鏈布局。?

后端設備需求爆發增長

回顧過往，2024年全球半導體制造設備銷售額已達到創紀錄的1170億美元，晶圓廠設備的表現尤為值得關注。晶圓廠設備涵蓋了晶圓制程、晶圓廠設施及光罩設備等多個方面，在晶圓代工和存儲應用銷售增長的有力帶動下，2025年相關領域銷售額有望實現6.2%的同比增長，達到1108億美元。這一數據高于2024年底預估的1076億美元水平，顯示出市場發展超出預期。 ? ? ? ??

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SEMI預測，雖然晶圓廠設備的增速保持穩健，但后端設備需求將迎來爆發式增長。其中，測試設備銷售額同比增長23.2%，達到93億美元；封裝設備銷售額同比增長7.7%，至54億美元。?

之所以會出現這樣的增長態勢，主要原因在于HBM產能擴張，對更先進的沉積和刻蝕設備提出了迫切需求；同時，AI芯片多芯片集成及HBM復雜堆疊架構，推動了CoWoS、硅中介層等先進封裝技術的快速發展；而HBM和AI芯片性能驗證復雜度的提升，又顯著提高了對測試時長與精度的要求。?

而且，這種增長趨勢在2026年還將延續，封裝設備增速將進一步升至15%，測試設備則維持5%的增長，實現連續三年擴張。?

在存儲領域，各廠商相關的資本支出預計將在2025年有所增加，并在2026年持續增長。

具體來看，NAND相關設備銷售正逐步從2023年的大幅萎縮中恢復。2024年，NAND設備銷售已實現4.1%的小幅增長，而在3D NAND堆疊技術的發展以及產能擴張的推動下，NAND設備市場預計在2025年實現42.5%的增長，銷售額達到137億美元，到2026年將繼續增長9.7%，達到150億美元；DRAM設備銷售額在2024年飆升40.2%，達到195億美元，預計2025年和2026年將分別增長6.4%和12.1%，這一增長將為對HBM和人工智能部署的投資提供有力支持。?

不難發現，AI技術的興起推動了AI PC、AI手機等新產品的持續涌現。消費者對這類智能功能強勁的設備青睞有加，相關企業因此擴大生產規模。汽車行業在智能化和電動化轉型的加速過程中，引發了車載芯片需求的爆發，車企與芯片廠商隨之紛紛擴充產能，這一系列變化共同帶動了半導體設備出貨量的上升。而3D NAND閃存技術、扇出型晶圓級封裝（FOWLP）、系統級封裝（SiP）以及3nm、5nm制程技術的革新，同樣是促進半導體設備出貨量增長的關鍵推動力。?

全球市場發展分化

在全球半導體制造設備銷售額持續增長的大背景下，不同地區的表現呈現出顯著差異。中國大陸、韓國、中國臺灣、北美與日本等主要半導體產業聚集地，各自面臨著獨特的機遇與挑戰。

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當前，中國大陸半導體設備市場正處于份額萎縮的階段，雖然在經歷著結構性的轉型，但仍然是全球最大單一半導體設備市場，Q1營收達102.6億美元。?

2024年由于美國出口管制升級，中國企業為應對潛在風險，超前囤積設備，這一舉動推高了當年的基數。而到了2025年第一季度，市場進入了庫存消化階段，設備需求相應減少。成熟制程方面，受消費電子需求疲軟的影響，頭部晶圓廠商的28nm/45nm產能利用率下降，出現了成熟制程產能過剩的情況。?

不過，市場也顯現出一些突圍的信號，本土設備商在刻蝕、沉積領域取得了顯著進展，市占率大幅突破，其中北方華創、拓荊科技起到了主導作用。同時，長江存儲的國產產線試產啟動，目標是在2025年底實現月產能達15萬片，將拉動高深寬比刻蝕設備的訂單增長，為相關本土設備企業帶來新的發展機遇。?

韓國半導體設備市場正迎來爆發式增長，這主要得益于存儲芯片的復蘇，從而引爆了設備需求。HBM擴產是重要的增長引擎。三星、SK海力士加速3D NAND產能建設，其層數已突破400+，這使得相關設備的單價提升了30%。政策方面，韓國的“K-半導體戰略”為企業提供30%的稅收抵免，2025年企業補貼超過50億美元，有力地刺激了企業在設備方面的投入。?

中國臺灣地區的半導體設備市場呈現出高速增長的態勢，203%的高增背后有三大支撐點。在先進制程擴產方面，臺積電3nm產能在第一季度提升25%，2nm試產線也已啟動，并采購了6臺EUV光刻機，持續領跑先進制程的競爭。先進封裝領域同樣表現亮眼，CoWoS產能計劃從3.5萬片/月增至2025年底的6.5萬片/月，以滿足市場對先進封裝技術的旺盛需求。此外，在成熟制程方面，聯電28nm產能翻倍，碳化硅器件設備采購增長15%，形成了先進制程與成熟制程互補發展的良好局面。?

在AI芯片的強勁需求推動下，中國臺灣地區和韓國在先進制程和封裝技術方面的投入將持續加大，主導其擴產周期。?

北美設備市場一季度銷售額暴增55%，達到29.3億美元，但環比下降41%，其波動與英特爾“脈沖式采購”策略密切相關，但從長期來看，18A制程（GAA技術）量產在即，這一技術的突破將支撐起長期的設備需求。日本半導體設備市場也同樣呈現“同比高增、環比回調”態勢，本土企業Rapidus啟動2nm試產線，再加上臺積電熊本工廠的設備安裝工作推進，共同推動日本半導體設備市場同比增長20%。?

歐洲地區的情況則相對嚴峻，德國晶圓廠雖然獲得了一定的補貼，但難以抵擋產業空心化的趨勢。在第一季度市場暴跌之后，Q2的頹勢預計難以改變，面臨著較大的發展壓力。?

總體來看，Q2全球半導體設備市場的分化態勢將持續，AI需求的強弱以及地緣政治因素的演變，將成為影響各地區市場發展的關鍵變量，推動著全球半導體設備市場格局的不斷調整。?

國產設備廠上半年亮點紛呈

根據2025年中期財報及行業調研數據，中國半導體設備頭部企業從成熟制程（28nm）向先進制程（5nm）?突破，HBM專用設備及AI需求成新增長點，上半年表現呈現“強者恒強、國產替代加速、新興技術突破”三大特征。

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在刻蝕、薄膜沉積領域，中微公司、拓荊科技表現亮眼。其中，中微公司5nm CCP刻蝕設備成功通過國內存儲頭部廠商驗證，2025年上半年出貨量在國內邏輯產線新增設備中占比大幅提升。更值得關注的是，應用于HBM的高深寬比刻蝕設備已交付SK海力士無錫封測廠，這是中微公司的首單海外訂單，標志著其設備獲得國際市場的認可，邁出了全球化布局的重要一步。拓荊科技在薄膜沉積設備方面成果顯著，14nm SACVD（次常壓化學氣相沉積）設備在中芯國際產線成功替代應用材料的同類產品，打破了國外企業在該領域的壟斷局面。

清洗、封裝設備領域，盛美上海、新益昌緊密綁定AI芯片需求，市場份額持續攀升。盛美上海單片兆聲波清洗設備獨供臺積電CoWoS生產線，在先進封裝清洗份額中實現應用，充分體現了該設備的技術優勢和市場認可度，自研的氣相干法刻蝕設備通過長存200層3D NAND驗證，為其在存儲芯片領域的進一步發展奠定了基礎；新益昌其高速倒裝芯片（Flip Chip）貼片機獲得通富微電、長電科技的采購訂單，且在HBM封裝訂單中的占比達到32%，顯示出公司在先進封裝設備市場的強勁增長勢頭。?

這些成果不僅推動了國內半導體設備的國產化進程，也讓中國半導體設備企業在國際舞臺上占據了更重要的位置，為行業的持續發展注入了強勁動力。

?（來源：集微）