近日，北方華創自主研發的兩款MOCVD（金屬有機物化學氣相沉積）外延設備（型號：Satur N800/ Satur V700）順利通過行業龍頭客戶驗收，并獲得批量重復訂單。

北方華創自2010年啟動外延裝備的研發以來，經過十余年的技術沉淀與創新突破，實現了在硅薄膜外延設備領域4英寸到12英寸全覆蓋，產品包括8英寸及以下的單片及多片大產能硅外延設備、12英寸硅外延設備，取得了多項技術創新和產業化成果，累計銷售突破千腔，先后榮獲“北京市科學技術進步一等獎”、首屆“國家卓越工程師團隊”、“北京市模范集體”等重量級榮譽，成為中國硅薄膜外延裝備領域的引領者。?

憑借在硅外延設備領域的深厚積累，北方華創積極拓展化合物半導體外延設備研發，形成了GaN（氮化鎵）、GaAs（砷化鎵）、SiC（碳化硅）等化合物半導體材料外延設備的系列化產品。

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MOCVD設備是一種利用金屬有機化合物進行金屬輸送的氣相外延生長設備。它需要在原子尺度上實現復雜材料的納米精度控制、量子級界面控制。此外，還需具備高真空環境和高精度溫控系統，以確保材料的純度和生長的穩定性。?

Satur系列MOCVD設備

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GaN MOCVD外延設備?

北方華創GaN MOCVD外延設備——Satur N800，面向8英寸硅基氮化鎵功率器件的特殊需求設計，具備大面積均勻溫度場、大范圍穩定可調氣流場，以及多片式（Batch）大產能和自動化配置，能夠滿足化合物半導體先進器件對外延層組分、厚度和摻雜均勻性的高要求。目前，Satur N800已進入國內多家化合物半導體客戶端，順利通過芯片驗證并穩定運行，實現批量出貨，并不斷獲得重復訂單。?

GaAs MOCVD外延設備

北方華創GaAs MOCVD外延設備——Satur V700，成功突破了氣流場、溫度場、副產物控制等關鍵技術，具備高均勻性、大產能、低成本等優勢。該設備不僅能夠滿足Micro LED行業的痛點需求，還可廣泛應用于射頻、光電子等領域。目前，Satur V700已批量出貨多家客戶，并通過了嚴格的芯片驗證，憑借其良好性能，持續獲得客戶的大量重復訂單。?

SiC外延設備

北方華創SiC外延設備——MARS iCE115/120S，工藝調試簡單，維護操作便捷，一經推出便迅速占領市場。其中MARS iCE120S兼容6/8英寸SiC外延，具備C2C能力，在SiC產業由6英寸向8英寸轉變的過渡期，為市場提供了良好的產品選擇。?

MARS iCE120S

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隨著SiC外延技術的逐漸成熟，北方華創推出多片式6/8英寸兼容的SiC外延產品——Satur C960。該設備采用全新自主開發的溫控架構、真空尾氣系統以及多功能模塊化設計，能夠實現單爐9片6英寸或6片8英寸外延，具有高產能、低成本和長運行時間（Uptime）等優勢，進一步拓展了SiC外延產品市場。

?Satur C960

（來源：北方華創）

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