格羅方德（GF）將在未來幾年斥資11億歐元，使其位于德國德累斯頓的芯片工廠的產(chǎn)量翻一番。

此前，格羅方德宣布已為美國紐約州馬耳他CMOS工廠和佛蒙特州氮化鎵（GaN）工廠額外注資30億美元。該公司還宣布為這些工廠以及最近啟動(dòng)的紐約先進(jìn)封裝和光子學(xué)中心注資130億美元。然而，美國政府正在撤回對(duì)佛蒙特州和封裝中心的支持。

德累斯頓晶圓廠的投資將使格羅方德晶圓年產(chǎn)量在未來幾年翻一番，達(dá)到150萬片。該晶圓廠是用于功率和射頻器件的22nm 22FDX FD-SOI低功耗工藝技術(shù)的關(guān)鍵，同時(shí)也為汽車和物聯(lián)網(wǎng)MCU（微控制器）等器件提供28nm、40nm和55nm工藝。

該晶圓廠目前擁有6萬平方米的潔凈室空間，員工約3200人。該公司一直在尋求第二個(gè)IPCEI（歐洲共同利益重要項(xiàng)目）的10億歐元資助，該項(xiàng)目已于2023年6月獲得批準(zhǔn)。該交易獲得了德國政府?dāng)?shù)億歐元的支持。

格羅方德與Indie Semiconductor建立了戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，基于22FDX工藝開發(fā)77GHz和120GHz雷達(dá)系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC），用于安全關(guān)鍵型高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）芯片。此外，格羅方德還與博世合作，開發(fā)基于22FDX工藝的單芯片雷達(dá)傳感器。

格羅方德還與Ayar Labs合作，利用單片光子學(xué)平臺(tái)開發(fā)業(yè)界首款UCIe光互連芯片。

競爭對(duì)手方面，德國政府還為位于德累斯頓的英飛凌智能電源晶圓廠提供10億歐元的支持。

與此同時(shí)，臺(tái)積電也正在與恩智浦半導(dǎo)體和博世合作，在德累斯頓建設(shè)一座采用類似工藝技術(shù)的晶圓廠ESMC。ESMC專注于28nm和22nm工藝技術(shù)，并獲得50億歐元的歐洲補(bǔ)貼。

（來源：集微）