據香港科技大學快訊報道，近日，由香港科技大學霍英東研究院與香港科技大學（廣州）聯合孵化的“拓諾稀科技”迎來里程碑時刻——其位于南沙的首個先進生產廠房正式啟用！該廠房配備高標準潔凈室設施和完善的生產研發配套，具備批量化外延制備能力，實現 “從實驗室走向產業”，為大規模推進氧化鎵外延產品走向市場奠定了堅實基礎。

拓諾稀科技生產廠房位于粵港澳大灣區“黃金內灣”廣州南沙，占地約500平方米，集研發、測試、制造、工藝支持于一體。設有MOCVD工藝區和離子注入室、專用的氣體儲存間、固廢處理間，全面保障高科技產品制造的穩定與安全。

氧化鎵（Ga?O?）作為一種具有超寬禁帶的半導體材料，在高壓功率電子、射頻通訊、光電探測等領域展現出巨大的應用潛力。由香港科技大學（廣州）陳子強教授與其博士生共同創立的拓諾稀科技，聚焦于氧化鎵外延薄膜的制備及高性能半導體器件的開發，是全球獨家通過MOCVD工藝實現了穩定p型導電氧化鎵外延層的企業，填補了氧化鎵材料體系中長期缺失的p型導電空白。

陳子強教授表示：“我們解決了氧化鎵20年的無p型導電性能痛點，解鎖氧化鎵的雙極器件能力，重構氧化鎵的產業鏈生態，市場規模提升至少10倍，百億規模市場變為數干億規模市場。”

據悉，團隊成功改造MOCVD工藝的生產設備在廠房中運行良好，實現了設備平臺與氧化鎵材料的深度適配，為第四代半導體材料的本土化生產與應用提供了可持續的技術支持平臺。