?氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管（HEMT）憑借低導通損耗、高開關頻率等優勢，已成為下一代功率開關應用的有力競爭者。目前肖特基型p-GaN柵HEMT已經實現商業化應用，在消費類電子中獲得廣泛應用。然而，目前主流的肖特基型p-GaN柵HEMT面臨高壓開關過程閾值電壓(Vth)負漂這一重大挑戰，使器件極易發生誤開啟，嚴重阻礙了肖特基型p-GaN柵HEMT在工業/汽車等領域的應用。
近日，北京大學魏進/王茂俊/沈波團隊，在微電子器件領域權威學術期刊IEEE Electron Device Letters發表名為Split-p-GaN Gate HEMT With Suppressed Negative Vth Shift and Enhanced Robustness Against False Turn-On的學術論文，成功研制無閾值電壓負漂的650V/10A增強型GaN器件。北京大學博士研究生勞云鴻為論文第一作者，魏進教授、王茂俊教授、沈波教授為論文共同通訊作者。
論文提出一種新型的柵極結構，Split-p-GaN柵HEMT（SPG-HEMT），圖1a為封裝器件照片，圖1b為器件柵極結構的TEM照片。如圖1c所示，因為p-GaN和漏極之間存在耦合電容，在高漏極偏壓下傳統器件的p-GaN電勢會被抬高從而導致Vth負漂。如圖1d所示，對于新型器件SPG-HEMT而言，靠近源極的p-GaN（p1）被靠近漏極的p-GaN（p2）屏蔽從而免受漏極高壓的影響，因此p1的電勢幾乎不受影響。在高漏極偏壓下，SPG-HEMT的Vth是由p1決定的，因此其抑制了Vth負漂。實驗結果表明，在100V漏極電壓下，傳統器件的Vth會產生-0.33V的負漂（見圖1e），而SPG-HEMT僅出現-0.07V的輕微負漂（見圖1f）。
圖1 （a）封裝器件的照片。（b）新型柵極結構的TEM圖像。（c）高漏極偏壓下傳統器件出現Vth負漂的物理機制解釋。（d）新型器件抑制Vth負漂的物理原理解釋。（e）傳統器件Conv-HEMT和（f）新型器件SPG-HEMT的傳輸特性曲線，插圖展示了不同漏極電壓下的Vth漂移。
團隊搭建了半橋開關電路以評估Vth負漂對器件誤開啟魯棒性的影響（見圖2a，2b）。誤開啟易發生在器件漏極電壓快速變化的瞬間，一旦米勒效應導致柵極電壓振蕩尖峰超過Vth，器件將發生誤導通，進而導致橋臂直通故障。誤開啟測試的波形如圖2c，2d所示。由測試波形提取得到兩種器件發生誤開啟的條件。如圖2e所示，傳統器件在VGS-OFF?≥?－0.4?V時就發生了誤開啟，因為Vth負漂加劇了誤開啟的風險。相比之下，由于新型器件SPG-HEMT能有效抑制Vth負漂，使其在VGS-OFF?= 0 V時保持了關閉狀態，只有當VGS-OFF?≥?+0.6 V時才發生了誤開啟（見圖2f）。因此，在高壓開關過程中，給SPG-HEMT施加0V柵極偏壓就能避免誤開啟，無需負柵極偏壓使該技術有望簡化柵極驅動電路的設計。
圖2 （a）半橋電路原理圖。（b）電路板照片。 (c)-(f) 傳統器件Conv-HEMT和新型器件SPG-HEMT的誤開啟測試結果。
綜上所述，本論文提出的新型Split-p-GaN柵HEMT器件能有效抑制漏極偏壓導致的Vth負漂，大幅增強了器件的誤開啟魯棒性。這項技術有希望推動肖特基型p-GaN柵HEMT在工業/汽車等領域的應用。?
論文鏈接：
https://ieeexplore.ieee.org/document/10856268