?2025年4月23日，在第三屆九峰山論壇(JFSC)暨化合物半導體產業(yè)博覽會(CSE)期間，第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）（以下簡稱“聯(lián)盟”）正式發(fā)布2項SiC單晶生長用等靜壓石墨標準：

T/CASAS 036—2025《碳化硅單晶生長用等靜壓石墨構件純度測定方法 輝光放電質譜法》

T/CASAS 048—2025《碳化硅單晶生長用等靜壓石墨》

兩項標準的發(fā)布，旨在為碳化硅（SiC）單晶生長技術的規(guī)模化、高質量發(fā)展提供關鍵支撐。

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楊富華　第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副理事長兼秘書長、標準化委員會主任

周　明　賽邁科先進材料股份有限公司總經(jīng)理?

肖青平　北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司工藝總監(jiān)

徐明升　山東大學教授

彭棒棒　湖南三安半導體有限責任公司銷售總監(jiān)

董　娟　山東天岳先進科技股份有限公司知識產權經(jīng)理

劉曉星　山西爍科晶體有限公司市場技術經(jīng)理?

楊蘭芳　第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長

共同見證2項SiC單晶生長用等靜壓石墨標準的發(fā)布。

標準制定背景

技術創(chuàng)新與技術標準結合往往決定了產業(yè)的發(fā)展方向和產業(yè)價值鏈的分配比。

2024年，我國SiC襯底產量120萬片，同比增長60%，占全球供給的三分之一，進入全球第一梯隊。這離不開20年來SiC襯底研發(fā)的持續(xù)投入，離不開供應鏈企業(yè)的共同努力。?

等靜壓石墨是PVT法生長SiC單晶的重要耗材，占SiC襯底生產物料成本的30%，其國產化、產業(yè)化、規(guī)模化推動了SiC成本的持續(xù)降低，加快了SiC器件更廣泛的應用于光伏、儲能、工業(yè)變頻，為我國的雙碳戰(zhàn)略貢獻力量。

標準點評

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聯(lián)盟副理事長兼秘書長楊富華致辭中表示，標準已從傳統(tǒng)意義上的產品互換和質量評判的依據(jù)上升為產業(yè)整體發(fā)展戰(zhàn)略的重要組成部分，成為事關產業(yè)發(fā)展的基礎性、先導性和戰(zhàn)略性工作。本次碳化硅單晶生長用等靜壓石墨兩項標準的發(fā)布，標志著我國在高端碳材料領域邁出堅實的一步。聯(lián)盟目前圍繞產業(yè)鏈上中下游協(xié)同，規(guī)劃制定標準60余項，以樹立行業(yè)信心，助力新興市場開拓，支撐產業(yè)的高質量發(fā)展。聯(lián)盟歡迎更多的產業(yè)力量參與進來，以標準為引領，以創(chuàng)新為驅動，共同構建開放、共享、可持續(xù)的第三代半導體產業(yè)生態(tài)體系。

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賽邁科先進材料股份有限公司總經(jīng)理周明致辭中說到，高純度等靜壓石墨是化合物半導體制程中的重要零部件耗材，尤其在碳化硅單晶生長中，石墨材料的純度控制、性能控制、科學應用，極大的影響了晶體生長的質量和良率。石墨熱場材料是否穩(wěn)定可控，成為了各襯底企業(yè)單晶生長環(huán)節(jié)的重要生命線之一。今天這2項團體標準的發(fā)布，也標志著我國化合物半導體領域用石墨及碳材料產品邁向了更高水。感謝參與本次標準編制的各用戶單位、高校、院所，為標準的起草提供了很多基礎數(shù)據(jù)、產品使用情況參考和寶貴意見。下一步，賽邁科將在聯(lián)盟指導下，繼續(xù)推進功能石墨材料、石墨基復合材料、材料測試方法的標準建設，進一步提升行業(yè)標準水平，把“好材料”推向“好用戶”，從“國產化”到“走出去”。

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第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長兼標準化委員會秘書長高偉博士主持發(fā)布會。

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未來，CASA聯(lián)盟將繼續(xù)圍繞第三代半導體材料、器件及應用，加速關鍵標準研制與國際化布局，助力第三代半導體產業(yè)在全球價值鏈中占據(jù)更高位勢。

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