?近日，清純半導(dǎo)體推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)平臺，該平臺首款主驅(qū)芯片（型號：S3M008120BK）的常溫導(dǎo)通電阻低至8mΩ。該平臺通過專利技術(shù)和工藝完善，實現(xiàn)了領(lǐng)先國際同類產(chǎn)品的比導(dǎo)通電阻系數(shù)Rsp=2.1 mΩ.cm2，如圖1所示，進一步實現(xiàn)高電流處理能力和更小損耗，幫助新能源汽車電機驅(qū)動器進一步釋放SiC高功率密度及高能量轉(zhuǎn)化效率潛力，提高續(xù)航里程。

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圖1 清純半導(dǎo)體1、2、3代產(chǎn)品比電阻Rsp變化

該產(chǎn)品額定電壓為1.2kV，額定電流超過220A，室溫閾值電壓典型值為2.7~2.8V。圖2分別給出了該芯片在常溫及高溫的輸出特性曲線，體現(xiàn)了優(yōu)良的導(dǎo)通電阻溫度特性。在等效的芯片面積下，與上一代技術(shù)相比導(dǎo)通損耗降低約20%，能夠以更高的效率、更小的封裝和更高的可靠性實現(xiàn)應(yīng)用設(shè)計。值得指出的是，和傳統(tǒng)芯片迭代技術(shù)方式不同，該芯片在降低導(dǎo)通電阻的同時保持了與前兩代相近的優(yōu)良短路耐受特性。

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圖2 S3M008120BK芯片輸出特性

在動態(tài)性能方面，該芯片在相同芯片尺寸下寄生電容進一步降低，提高了開關(guān)速度。更重要的是，產(chǎn)品通過設(shè)計及制造技術(shù)的優(yōu)化，顯著改善了MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特性，峰值電流Irrm實現(xiàn)了近30%的降低，同時軟度tb/ta得到了大幅優(yōu)化，電壓過沖Vrrm也得到了顯著改善（圖3）。這對高速開關(guān)應(yīng)用的損耗降低，以及多芯片并聯(lián)應(yīng)用的動態(tài)均流，都尤為重要。

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圖3 S3M008120BK芯片與2代同類產(chǎn)品反向恢復(fù)波形對比

第3代產(chǎn)品除了優(yōu)異的性能改進，還繼承了前兩代產(chǎn)品在可靠性方面的優(yōu)勢，包括通過了傳統(tǒng)柵極可靠性試驗對HTGB的考核、柵氧馬拉松試驗對壽命評估及高壓H3TRB、復(fù)合應(yīng)力C-HTRB等加嚴(yán)可靠性試驗的測試。DRB、DGS等動態(tài)可靠性評估結(jié)果表明：第三代產(chǎn)品在動態(tài)可靠性試驗前后電參數(shù)保持穩(wěn)定，更適合主驅(qū)等多芯片并聯(lián)應(yīng)用場景，以確保系統(tǒng)在長期使用后依然具有較優(yōu)的均流特性。

清純半導(dǎo)體本次推出的第三代MOSFET技術(shù)平臺核心參數(shù)及各類可靠性已經(jīng)實現(xiàn)了與國際主流廠商最領(lǐng)先產(chǎn)品的對標(biāo)。技術(shù)的創(chuàng)新和產(chǎn)品的領(lǐng)先將助力公司持續(xù)為客戶創(chuàng)造更多價值，推動行業(yè)的持續(xù)發(fā)展。

（來源：清純半導(dǎo)體）