2英寸碳化硅單晶襯底、4英寸碳化硅單晶襯底、6英寸碳化硅單晶襯底河北同光半導體股份有限公司（以下簡稱同光）自成立以來，不斷
9月6日，第三代半導體產業創新發展大會在南京市江寧開發區舉行。國家第三代半導體技術創新中心（南京）一期項目竣工投產。國家第
科友半導體宣布，以其自主設備和技術研發的6英寸SiC晶體在厚度上實現突破，達到32.146mm，業內領先。
山東國宏中能年產11萬片碳化硅襯底片項目作為省優選和市、區重點項目，總投資6.9億元，分兩期建設，將生產4英寸及6英寸碳化硅襯底片。
合肥首個第三代半導體產業項目！世紀金光6英寸碳化硅項目正式落地
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