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隨著硅半導(dǎo)體材料主導(dǎo)的摩爾定律逐漸走向其物理極限，以第三代半導(dǎo)體為代表的化合物半導(dǎo)體滿足光電子、微波射頻和高效功率電子等

以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等為代表的第三代先進(jìn)半導(dǎo)體器件是全球智能、綠色、可持續(xù)發(fā)展的重要支撐力量，其在光電子，射頻

近幾年新能源車的爆發(fā)，極大地促進(jìn)了IGBT市場(chǎng)的發(fā)展。隨著全球電動(dòng)車的銷量提升，新能源汽車的不斷普及，對(duì)于充電樁的需求日益增

隨著硅半導(dǎo)體材料主導(dǎo)的摩爾定律逐漸走向其物理極限，以第三代半導(dǎo)體為代表的化合物半導(dǎo)體滿足光電子、微波射頻和高效功率電子等

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)T/CASAS 021202X《碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC MOSFET）閾值電壓測(cè)試方法》已完

【超38億元A輪股權(quán)融資創(chuàng)歷史】近日，安徽長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體有限公司正式宣布完成超38億元A輪股權(quán)融資，融資規(guī)模創(chuàng)國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體

隨著電力電子應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)大和需求的增長(zhǎng)，絕緣柵雙極型晶體管（簡(jiǎn)稱IGBT）作為功率電子器件的核心之一，是能源變換與傳輸?shù)?/p>

綠色低碳發(fā)展、萬物智能互聯(lián)成為全球共識(shí)，第三代半導(dǎo)體是推動(dòng)新能源汽車、智能電網(wǎng)、先進(jìn)制造、移動(dòng)通信、新型顯示等產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)吳玲做《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略思考》主題綜述報(bào)告。

科學(xué)技術(shù)部黨組成員、副部長(zhǎng)相里斌在開幕致辭中表示，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體具有優(yōu)異性能，在新能源汽車、信息通訊、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域有巨大的市場(chǎng)。科技部一直高度重視第三代半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展，從“十五”期間開始給予了長(zhǎng)期持續(xù)支持，建立了從材料、器件到應(yīng)用的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新能力。下一步還將與各地方溝通協(xié)作，加強(qiáng)統(tǒng)籌謀劃和技術(shù)布局，加強(qiáng)人才培養(yǎng)，加強(qiáng)國(guó)際合作，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)有機(jī)銜接，強(qiáng)化以企業(yè)為主體、產(chǎn)學(xué)研用協(xié)同的創(chuàng)新生態(tài)。

在中關(guān)村論壇上，北京（國(guó)際）第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展論壇舉辦，國(guó)聯(lián)萬眾二期、晶格領(lǐng)域二期、特思迪半導(dǎo)體二期、銘鎵半導(dǎo)體擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目等6個(gè)產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目成功簽約，預(yù)計(jì)總投資近18億元。順義，一個(gè)在全國(guó)具有較強(qiáng)影響力的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)初見雛形。

在5月28日舉辦的2023中關(guān)村論壇平行論壇北京（國(guó)際）第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展論壇上，北京市順義區(qū)面向全球推介第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)

與第一代半導(dǎo)體（如硅、鍺）和第二代半導(dǎo)體（如砷化鎵、銻化銦）材料相比，以氧化鋅（ZnO）、氮化鎵（GaN）、硫化鎘（CdS）、碳

歷時(shí)一年半，遵循第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟CASAS技術(shù)報(bào)告制定流程，經(jīng)過標(biāo)準(zhǔn)起草小組會(huì)議討論、廣泛征求意見等流程，技

5月19日，保定第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院（以下簡(jiǎn)稱研究院）在保定市召開籌委會(huì)暨第一屆管理委員會(huì)第一次會(huì)議，會(huì)議的召開標(biāo)志

2023年經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇力度逐月加快，消費(fèi)增速回升，制造業(yè)投資、基礎(chǔ)設(shè)施投資均保持較高增速，經(jīng)濟(jì)發(fā)展逐步向高端制造轉(zhuǎn)型，伴隨著在新

近日，2023中國(guó)（寧波）第四屆第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇在寧波國(guó)際會(huì)議中心舉行，本次論壇通過深入研討半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用發(fā)展趨勢(shì)，

自半導(dǎo)體誕生以來，半導(dǎo)體材料便不斷升級(jí)。與第一代和第二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電

集微網(wǎng)報(bào)道 4月19日-21日，2023中國(guó)光谷九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大會(huì)在武漢光谷舉行。在開幕式上，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)

EDA貫穿集成電路（IC）產(chǎn)業(yè)設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)等各個(gè)環(huán)節(jié)，在芯片產(chǎn)業(yè)中不可或缺，不同應(yīng)用場(chǎng)景下器件結(jié)構(gòu)性、設(shè)計(jì)流程、仿真驗(yàn)證