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據(jù)中國(guó)科學(xué)院微電子研究所消息，近日，微電子所高頻高壓中心劉新宇研究員團(tuán)隊(duì)在氮化鎵電子器件可靠性及熱管理方面取得突破，六項(xiàng)

近日，蘇州中科重儀半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡(jiǎn)稱中科重儀）自主研發(fā)的應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的大尺寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延

2023年11月28日，第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）于廈門(mén)國(guó)際會(huì)議中心盛大開(kāi)幕。

氮化鎵（GaN）功率器件具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗、射頻功率放大器、直流至直流（DC-DC）變換器、薄膜和二維Ga

得益于高功率、高頻率和高溫環(huán)境下的眾多卓越性能，氮化鎵功率電子器件技術(shù)在具有廣闊的發(fā)展前景。技術(shù)發(fā)展具有持續(xù)的創(chuàng)新和應(yīng)用

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：11月9日，廣東致能科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱致能科技）完成首個(gè)1200V D-Mode高可靠性氮化鎵平臺(tái)。在滿足1200V系

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 2023年11月10日，溫州芯生代科技有限公司在2023世界青年科學(xué)家峰會(huì)上隆重發(fā)布了面向高電壓大電流HEMT功率器件應(yīng)用

隨著5G、碳中和、AI時(shí)代的來(lái)臨，芯片市場(chǎng)需求激增，以砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等為代表的化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)

以碳化硅、氮化鎵、砷化鎵和磷化銦為代表的化合物半導(dǎo)體材料，相比第一代單質(zhì)半導(dǎo)體，在高頻性能、高溫性能方面優(yōu)異很多，發(fā)展前

以碳化硅、氮化鎵、砷化鎵和磷化銦為代表的化合物半導(dǎo)體材料，相比第一代單質(zhì)半導(dǎo)體，在高頻性能、高溫性能方面優(yōu)異很多，發(fā)展前

以氮化鎵、碳化硅等為代表的第三代半導(dǎo)體材料正迎來(lái)廣闊的發(fā)展前景，成為全球的機(jī)會(huì)和關(guān)注焦點(diǎn)。碳化硅作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展

新科技時(shí)代背景下，人工智能、能源環(huán)保、自動(dòng)駕駛等需求驅(qū)動(dòng)下，以氮化鎵、碳化硅等為代表的第三代半導(dǎo)體材料迎來(lái)廣闊的發(fā)展前景

以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等為代表的第三代先進(jìn)半導(dǎo)體器件是全球智能、綠色、可持續(xù)發(fā)展的重要支撐力量，其在光電子，射頻

硅基氮化鎵橫向功率器件因其低比導(dǎo)通電阻、高電流密度、高擊穿電壓和高開(kāi)關(guān)速度等特性，已成為下一代高密度電力系統(tǒng)的主流器件之

科學(xué)技術(shù)部黨組成員、副部長(zhǎng)相里斌在開(kāi)幕致辭中表示，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體具有優(yōu)異性能，在新能源汽車、信息通訊、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域有巨大的市場(chǎng)。科技部一直高度重視第三代半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展，從“十五”期間開(kāi)始給予了長(zhǎng)期持續(xù)支持，建立了從材料、器件到應(yīng)用的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新能力。下一步還將與各地方溝通協(xié)作，加強(qiáng)統(tǒng)籌謀劃和技術(shù)布局，加強(qiáng)人才培養(yǎng)，加強(qiáng)國(guó)際合作，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)有機(jī)銜接，強(qiáng)化以企業(yè)為主體、產(chǎn)學(xué)研用協(xié)同的創(chuàng)新生態(tài)。

氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等寬禁帶半導(dǎo)體材料廣泛用于信息化社會(huì)、人工智能、萬(wàn)物互聯(lián)、現(xiàn)代農(nóng)業(yè)、現(xiàn)代醫(yī)療、智能交通、國(guó)防

與第一代半導(dǎo)體（如硅、鍺）和第二代半導(dǎo)體（如砷化鎵、銻化銦）材料相比，以氧化鋅（ZnO）、氮化鎵（GaN）、硫化鎘（CdS）、碳

隨著新能源汽車的普及及5G的商用，量產(chǎn)新能源車型中搭載碳化硅（SiC）以及5G基站功放使用碳化硅基氮化鎵，催生了碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈從

智能駕駛時(shí)代下第三代半導(dǎo)體材料的技術(shù)進(jìn)步給電動(dòng)車電驅(qū)電控系統(tǒng)和電源系統(tǒng)帶來(lái)的新的技術(shù)進(jìn)展。

以碳化硅、氮化鎵等重要的第三代半導(dǎo)體材料，在大功率高頻器件中具有重要的應(yīng)用。材料水平直接決定了器件的性能。對(duì)作為新材料的