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氮化鎵（GaN）功率器件具有高擊穿場強、高熱導率、低導通和開關損耗、射頻功率放大器、直流至直流（DC-DC）變換器、薄膜和二維Ga

近日，中國科學院上海微系統所魏星研究員團隊在300 mm SOI晶圓制造技術方面取得突破性進展，制備出了國內第一片300 mm射頻（RF）

隨著硅半導體材料主導的摩爾定律逐漸走向其物理極限，以第三代半導體為代表的化合物半導體滿足光電子、微波射頻和高效功率電子等

以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等為代表的第三代先進半導體器件是全球智能、綠色、可持續發展的重要支撐力量，其在光電子，射頻

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　　又一家射頻前端芯片獨角獸即將登陸A股科創板。　　上交所官網顯示，廣州慧智微電子股份有限公司（簡稱：慧智微）目前已經通

半導體產業網獲悉：8月12日，能訊半導體受邀參展2022 EDICON Across China北京大會。會議現場，能訊半導體射頻產品中心總監劉鑫

氮化鎵射頻及功率器件項目樁基開工。這個項目總投資25億元，占地111.35畝，分兩期實施，全部達產后預計實現年銷售30億元以上，可進一步推動嘉興集成電路新一代半導體產業。

　第三代半導體產業技術研究院是總投資25億元的博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件項目快速推進的又一大重要舉措，該項目已于本月3日在2020年一季度重大項目集中開竣工活動期間順利開工。