核心提示:半導體產業網訊:近日,武漢大學工業科學研究院袁超課題組在國際權威期刊《Journal of Applied Physics》上,以A review of ther
近日,廈門大學康俊勇教授團隊采用鐵電柵控方法,首次實現了對單層和雙層WS2的非易失性能谷調控,并在室溫下獲得了較高的谷極化
半導體產業網訊 近日,西安交大電子學院先進光電所云峰教授團隊在六方氮化硼薄膜大面積制備及剝離方面取得了重要進展。該成果以
作為新型的寬禁帶半導體材料,氧化鎵(Ga2O3)由于自身的優異性能,憑借其比第三代半導體材料SiC和GaN更寬的禁帶,在紫外探測、高頻功率器件等領域吸引了越來越多的關注和研究。
南沙通過強化招商引資工作,率先搶占產業發展制高點,引進培育了芯粵能、芯聚能、晶科電子、聯晶智能、南沙晶圓、先導半導體高端設備等一批行業龍頭企業,已初步形成覆蓋半導體和集成電路設計、制造、封裝測試、設備材料等全產業鏈環節。
近日,南方科技大學深港微電子學院教授于洪宇課題組和助理教授李攜曦課題組在寬禁帶半導體功率器件領域取得系列進展,
最新新聞
- 1
IFWS 2022前瞻:超寬禁帶及其他新型半導體材料與器件技術分會日程公布
- 2
眾星云集!化合物半導體激光器技術分論壇最新日程出爐——IFWS&SSLCHINA2022前瞻
- 3
27位演講嘉賓公布!2024功率半導體器件與集成電路會議4月26-28日成都見!
- 4
IFWS 2022前瞻:氮化物襯底材料生長與外延技術分會日程出爐
- 5
年產4000萬只光模塊,華工科技光電子研創園一期投產
- 6
總投資30億美元,梧升半導體IDM項目簽約
- 7
濟南寬禁帶半導體小鎮一期項目基本完成 未來將形成千億級產業集群
- 8
第三代半導體六英寸氮化鎵項目落戶廣西桂林
- 9
廈門科學技術獎重磅揭曉,12位科研人員獲重大貢獻獎、創新杰出人才獎