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9月6-8日，三安半導體攜碳化硅全產業鏈產品亮相SEMICONTaiwan2023，成功吸引行業關注，展示公司在第三代半導體研發和商業化進程

9月6日，第三代半導體產業創新發展大會在南京市江寧開發區舉行。國家第三代半導體技術創新中心（南京）一期項目竣工投產。國家第

走進第三代半導體產業鏈鏈主企業山西爍科晶體有限公司小晶片釋放大能量一排排3米多高的碳化硅單晶生長設備整齊排列，設備內部超

9月2日），蘇州工業園區在桑田科學島舉辦國家生物藥技術創新中心、國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）總部大樓開工儀式。江蘇

各有關單位：為進一步貫徹黨中央國務院關于促進中小企業發展、深化產教融合和創新驅動發展戰略的決策部署，破解產業發展中的實際

各有關單位：為貫徹落實黨中央國務院關于促進中小企業發展、深化產教融合和創新驅動發展戰略的決策部署，落實工業和信息化部、教

近日，半導體行業又一批項目迎來最新進展，范圍涉及半導體材料、半導體制造、功率器件、半導體設備零部件等。展芯、城邁信創等項

2023化合物半導體器件與封裝技術論壇將于10月12-13日在深圳召開。

該項目總投資預計超過200億元，其中項目一期總投資100億元，可年產36萬片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設計、晶圓制造、封裝等。

今年第二季度，國際半導體產業協會（SEMI）正式發布了碳化硅半導體外延晶片全球首個SEMI國際標準《4H-SiC同質外延片標準》（Spec

半導體照明網消息：第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日于廈

以氮化鎵、碳化硅等為代表的第三代半導體材料正迎來廣闊的發展前景，成為全球的機會和關注焦點。碳化硅作為第三代半導體產業發展

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氧化鎵（Ga2O3）半導體具有4.85 eV的超寬帶隙、高的擊穿場強、可低成本制作大尺寸襯底等突出優點。有望實現更高耐壓、更低損耗、

據悉，近日，媒體從量子計算芯片安徽省重點實驗室獲悉，我國科研團隊成功研制出第一代商業級半導體量子芯片電路載板，可最大可支

新科技時代背景下，人工智能、能源環保、自動駕駛等需求驅動下，以氮化鎵、碳化硅等為代表的第三代半導體材料迎來廣闊的發展前景

為培育和推動盤錦市第三代半導體產業發展新動能，盤錦高新技術產業開發區管理委員會與中關村半導體照明工程研發及產業聯盟擬定于

近日，TCL華星宣布與日本半導體能源研究所( Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.,SEL）簽署專利許可協議，獲得SEL在半導

8月2日，富樂德半導體產業項目傳感器子項目正式完成簽約。據悉，富樂德半導體產業項目總投資120億元，主要建設12英寸拋光片生產