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據(jù)涪陵高新區(qū)綜保區(qū)消息，在涪陵高新區(qū)（涪陵綜保區(qū)）重慶新陵微電子有限公司（以下簡稱重慶新陵微）6寸功率半導(dǎo)體廠房及配套設(shè)

重慶新陵微電子有限公司 6寸功率半導(dǎo)體廠房及配套設(shè)施項目正緊鑼密鼓地進行室內(nèi)裝修與設(shè)備安裝

8月25日，練市鎮(zhèn)人民政府與江西芯誠微電子有限公司、江蘇芯旺電子科技有限公司分別就車規(guī)級功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化項目芯旺半導(dǎo)體集成

據(jù)南閘發(fā)布消息，8月18日，賽英電子功率半導(dǎo)體模塊散熱基板新建生產(chǎn)基地及產(chǎn)能提升項目正式開工。該項目總投資超5億元，分為兩期

2025年8月14日，IEEE國際寬禁帶功率半導(dǎo)體技術(shù)路線圖委員會（ITRW）在北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）召開專題會

中電四公司承建的浙江萃錦半導(dǎo)體有限公司年產(chǎn)120萬只中高功率半導(dǎo)體器件項目開工儀式在寧波慈溪市高新區(qū)隆重舉行。

芯導(dǎo)科技將直接及間接持有瞬雷科技100%股權(quán)，實現(xiàn)對這家功率半導(dǎo)體企業(yè)的完全控制。

由寬禁帶半導(dǎo)體國家工程研究中心主辦，InSemi Research、協(xié)創(chuàng)微半導(dǎo)體聯(lián)合承辦，碳化硅芯觀察協(xié)辦，功率半導(dǎo)體行業(yè)聯(lián)盟、高端芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展聯(lián)盟、無錫市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、無錫市集成電路學(xué)會協(xié)辦的“功率器件制造測試與應(yīng)用大會(第三屆IPF 2025)”將于2025年8月21-22日在中國無錫盛大啟幕。

在近期日本熊本市舉辦的第37屆國際功率半導(dǎo)體器件和集成電路會議（International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD）上，南京大學(xué)江蘇省第三代半導(dǎo)體與高能效器件重點實驗室張榮和陸海教授研究團隊入選了兩篇氮化鎵（GaN）功率器件輻照效應(yīng)研究論文，向國際同行展示了宇航級GaN功率器件研究最新成果。

在近期落幕的第 37 屆功率半導(dǎo)體器件與集成電路國際會議（IEEE ISPSD 2025）上，浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院電力電子器件實驗室（PEDL）取得了令人矚目的成績。團隊共有四篇論文被選為大會全體報告（Oral Session）。該核心報告數(shù)量在全球所有高校、研究機構(gòu)和企業(yè)中位居第一，充分彰顯了浙大 PEDL 團隊在寬禁帶功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越科研實力。

浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院電力電子器件實驗室（PEDL）取得了令人矚目的成績。團隊共有四篇論文被選為大會全體報告（Oral Session）。該核心報告數(shù)量在全球所有高校、研究機構(gòu)和企業(yè)中位居第一，充分彰顯了浙大 PEDL 團隊在寬禁帶功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越科研實力。

第37屆功率半導(dǎo)體器件和集成電路國際會議(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD)在日本熊本市（Kumamoto）舉辦。本網(wǎng)特派記者參加ISPSD2025，并在現(xiàn)場也遇見了聯(lián)盟和IFWS&SSLCHINA諸多老朋友，同時也了解了當(dāng)前最新技術(shù)&新方向，以下簡單回顧一下熱點走向！

市場對高效、清潔和可持續(xù)能源解決方案的需求日益增長，這推動了功率半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，也要求人們更加關(guān)注先進材料。在各種先進

6月4日，中國領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應(yīng)商瞻芯電子，在第37屆國際功率半導(dǎo)體器件和集成電路研討會（ISPSD2025）

5月23-24日， 2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）在南京舉辦。

5月23日，2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD）在南京熹禾涵田酒店盛大啟幕。新微半導(dǎo)體總經(jīng)理王慶宇應(yīng)邀出席，發(fā)表了題為“氮化鎵賦能未來：突破功率極限，引領(lǐng)能效革命”的主旨演講，深度解讀氮化鎵在能效領(lǐng)域的卓越優(yōu)勢

為推進第三代半導(dǎo)體在新能源汽車領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用，加快新能源汽車產(chǎn)業(yè)升級轉(zhuǎn)型，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟聯(lián)合廣東芯聚能

5月22-24日， “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。東南大學(xué)副教授魏家行將受邀出席會議，并帶來《碳化硅功率MOSFET關(guān)鍵技術(shù)新進展》的主題報告，報告將從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、制造工藝、可靠性、典型應(yīng)用等方面出發(fā)，介紹當(dāng)下SiC功率MOSFET器件關(guān)鍵技術(shù)的最新進展，并對未來的發(fā)展趨勢做出展望，敬請關(guān)注！

5月22-24日，“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司將亮相此次會議。值此，誠摯邀請第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，蒞臨展位參觀交流、洽談合作。

5月22-24日，“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司將攜多款產(chǎn)品亮相此次會議。值此，誠摯邀請第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，蒞臨展位參觀交流、洽談合作。