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8月25日,練市鎮(zhèn)人民政府與江西芯誠(chéng)微電子有限公司、江蘇芯旺電子科技有限公司分別就車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目芯旺半導(dǎo)體集成

據(jù)南閘發(fā)布消息,8月18日,賽英電子功率半導(dǎo)體模塊散熱基板新建生產(chǎn)基地及產(chǎn)能提升項(xiàng)目正式開(kāi)工。該項(xiàng)目總投資超5億元,分為兩期

2025年8月14日,IEEE國(guó)際寬禁帶功率半導(dǎo)體技術(shù)路線圖委員會(huì)(ITRW)在北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)召開(kāi)專題會(huì)

中電四公司承建的浙江萃錦半導(dǎo)體有限公司年產(chǎn)120萬(wàn)只中高功率半導(dǎo)體器件項(xiàng)目開(kāi)工儀式在寧波慈溪市高新區(qū)隆重舉行。

芯導(dǎo)科技將直接及間接持有瞬雷科技100%股權(quán),實(shí)現(xiàn)對(duì)這家功率半導(dǎo)體企業(yè)的完全控制。

由寬禁帶半導(dǎo)體國(guó)家工程研究中心主辦,InSemi Research、協(xié)創(chuàng)微半導(dǎo)體聯(lián)合承辦,碳化硅芯觀察協(xié)辦,功率半導(dǎo)體行業(yè)聯(lián)盟、高端芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展聯(lián)盟、無(wú)錫市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、無(wú)錫市集成電路學(xué)會(huì)協(xié)辦的“功率器件制造測(cè)試與應(yīng)用大會(huì)(第三屆IPF 2025)”將于2025年8月21-22日在中國(guó)無(wú)錫盛大啟幕。

在近期日本熊本市舉辦的第37屆國(guó)際功率半導(dǎo)體器件和集成電路會(huì)議(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs,ISPSD)上,南京大學(xué)江蘇省第三代半導(dǎo)體與高能效器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室張榮和陸海教授研究團(tuán)隊(duì)入選了兩篇氮化鎵(GaN)功率器件輻照效應(yīng)研究論文,向國(guó)際同行展示了宇航級(jí)GaN功率器件研究最新成果。

在近期落幕的第 37 屆功率半導(dǎo)體器件與集成電路國(guó)際會(huì)議(IEEE ISPSD 2025)上,浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院電力電子器件實(shí)驗(yàn)室(PEDL)取得了令人矚目的成績(jī)。團(tuán)隊(duì)共有四篇論文被選為大會(huì)全體報(bào)告(Oral Session)。該核心報(bào)告數(shù)量在全球所有高校、研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)中位居第一,充分彰顯了浙大 PEDL 團(tuán)隊(duì)在寬禁帶功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越科研實(shí)力。

浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院電力電子器件實(shí)驗(yàn)室(PEDL)取得了令人矚目的成績(jī)。團(tuán)隊(duì)共有四篇論文被選為大會(huì)全體報(bào)告(Oral Session)。該核心報(bào)告數(shù)量在全球所有高校、研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)中位居第一,充分彰顯了浙大 PEDL 團(tuán)隊(duì)在寬禁帶功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越科研實(shí)力。

第37屆功率半導(dǎo)體器件和集成電路國(guó)際會(huì)議(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs,ISPSD)在日本熊本市(Kumamoto)舉辦。本網(wǎng)特派記者參加ISPSD2025,并在現(xiàn)場(chǎng)也遇見(jiàn)了聯(lián)盟和IFWS&SSLCHINA諸多老朋友,同時(shí)也了解了當(dāng)前最新技術(shù)&新方向,以下簡(jiǎn)單回顧一下熱點(diǎn)走向!

市場(chǎng)對(duì)高效、清潔和可持續(xù)能源解決方案的需求日益增長(zhǎng),這推動(dòng)了功率半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展,也要求人們更加關(guān)注先進(jìn)材料。在各種先進(jìn)

6月4日,中國(guó)領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應(yīng)商瞻芯電子,在第37屆國(guó)際功率半導(dǎo)體器件和集成電路研討會(huì)(ISPSD2025)

5月23-24日, 2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議(CSPSD 2025)在南京舉辦。

5月23日,2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議(CSPSD)在南京熹禾涵田酒店盛大啟幕。新微半導(dǎo)體總經(jīng)理王慶宇應(yīng)邀出席,發(fā)表了題為“氮化鎵賦能未來(lái):突破功率極限,引領(lǐng)能效革命”的主旨演講,深度解讀氮化鎵在能效領(lǐng)域的卓越優(yōu)勢(shì)

為推進(jìn)第三代半導(dǎo)體在新能源汽車領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用,加快新能源汽車產(chǎn)業(yè)升級(jí)轉(zhuǎn)型,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟聯(lián)合廣東芯聚能

5月22-24日, “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議(CSPSD 2025)”將于南京舉辦。東南大學(xué)副教授魏家行將受邀出席會(huì)議,并帶來(lái)《碳化硅功率MOSFET關(guān)鍵技術(shù)新進(jìn)展》的主題報(bào)告,報(bào)告將從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、制造工藝、可靠性、典型應(yīng)用等方面出發(fā),介紹當(dāng)下SiC功率MOSFET器件關(guān)鍵技術(shù)的最新進(jìn)展,并對(duì)未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)做出展望,敬請(qǐng)關(guān)注!

5月22-24日,“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議(CSPSD 2025)”將于南京舉辦。江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司將亮相此次會(huì)議。值此,誠(chéng)摯邀請(qǐng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇,蒞臨展位參觀交流、洽談合作。

5月22-24日,“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議(CSPSD 2025)”將于南京舉辦。北京國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾半導(dǎo)體科技有限公司將攜多款產(chǎn)品亮相此次會(huì)議。值此,誠(chéng)摯邀請(qǐng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇,蒞臨展位參觀交流、洽談合作。

5月22-24日, “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議(CSPSD 2025)”將于南京舉辦。期間,揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司將攜多款產(chǎn)品亮相此次會(huì)議。值此,誠(chéng)摯邀請(qǐng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇,蒞臨展位參觀交流、洽談合作。

5月22-24日,“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議(CSPSD 2025)”將于南京舉辦。期間,深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司將攜多款產(chǎn)品亮相此次展會(huì)。值此,誠(chéng)摯邀請(qǐng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇,蒞臨展位參觀交流、洽談合作。

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