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2028 年全球移動終端射頻前端市場將達到 269 億美元，年均增長率約為 5.8%。

第8.6代金屬掩膜版生產線項目在黃石經濟技術開發區開工。

英諾賽科作為全球第三代半導體氮化鎵的領導者針對數據中心領域，開發了多系列分立和集成氮化鎵產品，能夠最大限度提升效率，減少能源浪費。

在全球氣候變化日益嚴峻的背景下，節能減排已成為國際社會共同面臨的重大課題。各國政府紛紛出臺政策，推動能源結構轉型和低碳經

大族激光與歐姆龍自動化在大族激光全球智造中心正式簽署戰略合作協議

市調機構Counterpoint research發布2024年第三季度的數據調研，公布了該季度半導體營收、代工廠市場份額及智能手機應用處理器（AP）的市場份額排名。

思特威全球總部園區項目封頂儀式在浦東新區隆重舉行

進入第四季度以來，福建晶旭半導體科技有限公司二期項目基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產項目正開足馬力，搶抓施工

雅克先科電子材料項目點火儀式暨全球合作供應鏈大會在彭州市經濟開發區麗春航空動力產業園啟動。

今天上午9時30分隨著鐘聲敲響從吳江走出的全球氮化鎵龍頭英諾賽科成功登陸港交所成為港股第三代半導體第一股12月30日，英諾賽科

12月17日，Cree LED宣布與達科（Daktronics）簽署一項為期多年的全球專利許可協議，該協議將于2024年12月生效。Cree LED將在協議

2025年4月23-25日，九峰山論壇將在武漢光谷科技會展中心再次啟航，現誠摯邀請全球化合物半導體技術領域的專家學者、行業領航者及創新先鋒蒞臨盛會，發表精彩演講，共享智慧火花，攜手點亮化合物半導體行業的輝煌未來。

在來自全球的4000家企業已注冊參展的檔口，出了“幺蛾子”，大量中國企業人員簽證申請被拒

邦德激光全球總部基地智能工廠正式啟用

納微半導體今日發布全球首款8.5kW AI數據中心服務器電源，其采用了氮化鎵和碳化硅技術的混合設計，實現了>97.5%的超高效率，完美適配AI和超大規模數據中心。

英飛凌在處理和加工史上最薄的硅功率晶圓方面取得了突破性進展，這種晶圓直徑為300mm，厚度為20μm。厚度僅有頭發絲的四分之一，是目前最先進的40-60μm晶圓厚度的一半。

壓力之下，聞泰科技如何在逆境中找到破局之道，不僅穩固了市場地位，更實現了業績的飛躍？

如今，許多工業應用可以通過提高直流母線電壓，在力求功率損耗最低的同時，向更高的功率水平過渡。為滿足這一需求，全球功率系統

10月20日，光模塊研發制造商武漢恩達通科技有限公司（簡稱恩達通）與東湖高新區簽訂合作協議，在東湖綜保區建設恩達通總部及全球

當地時間9月11日，英飛凌科技股份公司（infineon）宣布，公司已成功開發出全球首款300毫米功率氮化鎵（GaN）晶圓技術，并率先在